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    原裝1206貼片電容工廠
    發(fā)布者:ysundz  發(fā)布時(shí)間:2019-11-21 15:24:03

    貼片鉭電容與陶瓷電容相比,其表面均有電容容量和耐壓標(biāo)識,其表面顏色通常有黃色和黑色兩種。譬如100-16即表示容量100μF,耐壓16V。

     

     

    貼片式鋁電解電容擁有比貼片式鉭電容更大的容量,其多見于顯卡上,容量在300μF~1500μF之間,其主要是滿足電流低頻的濾波和穩(wěn)壓作用。

    1、測試條件對測量結(jié)果的影響

        首先考慮測量條件的問題,對于不同容值的貼片電容會采用不同的測試條件來測量容值,主要在測試電壓的設(shè)定和測試頻率的設(shè)定上有區(qū)別,下表所示為不同容值的量測條件:


    電容

     

    AC 電壓

     

    頻率

     

    容量>10μF

     


    1.0± 0.2Vrms

     

    120Hz

     


    1000pF<容量≦10μF

     

    1.0± 0.2Vrms

     

    1kHz

     


    容量1000pF

     

    1.0± 0.2Vrms

     

    1MHz

     


    2、測量儀器的差異對測量結(jié)果的影響.

         大容量的電容(通常指1UF以上)測量時(shí)更容易出現(xiàn)容值偏低的現(xiàn)象,造成這種現(xiàn)象的主要原因是施加在電容兩端的實(shí)際電壓不能達(dá)到測試條件所需求的電壓,這是因?yàn)榧釉陔娙輧啥说臏y試電壓由于儀器內(nèi)部阻抗分壓的原因與實(shí)際顯示的設(shè)定電壓不一致。為了使測量結(jié)果誤差降到最低,我們建議將儀器調(diào)校并盡量把儀器的設(shè)定電壓跟實(shí)際加在電容兩端所測的電壓盡量調(diào)整,使實(shí)際于待測電容上輸?shù)某鲭妷阂恢隆?/span>

     

    注意: 上表中所示的電壓是指實(shí)際加在測試電容兩端的有效電壓(理想電壓)。

    由于測試儀器的原因,加在電容兩端實(shí)際的輸出電壓與設(shè)定的測量電壓(理想電壓)實(shí)際上可能會有所出入。

     

    3、影響高容量電容容值測量偏低的因素

     

    1) 測試儀器內(nèi)部的阻抗之大小影響.

       由于不同的測試儀器之間的內(nèi)部阻抗都不同,造成儀器將總電壓分壓而使加在測試電容兩端的實(shí)際電壓變小。在實(shí)際的測試過程中,我們有必要先使用萬用表等工具測試夾具兩端的實(shí)際電壓,以確定加在測試貼片電容兩端的輸出電壓。


     

    2)不同阻抗的測試儀器的輸出電壓對比如下:

    儀器內(nèi)阻100Ω

    1V * [100Ω/(100Ω+16Ω)] = 0.86V

    10uF測試電容的兩端電壓 :

     首先是陶瓷本體問題-斷裂或微裂,這是最常見的問題之一。斷裂現(xiàn)象較明顯,而微裂一般出在內(nèi)部,不容易觀察到,涉及到片狀電容的材質(zhì)、加工工藝和片狀電容使用過程中的機(jī)械、熱應(yīng)力等作用因素影響。  

     


      其次是片狀電容電性能問題。片狀電容使用一段時(shí)間后出現(xiàn)絕緣電阻下降、漏電。  

     

      

      以上兩個(gè)問題往往同時(shí)產(chǎn)生,互為因果關(guān)系。電容器的絕緣電阻是一項(xiàng)重要的參數(shù),衡量著工作中片狀電容漏電流大小。漏電流大,片狀電容儲存不了電量,片狀電容兩端電壓下降。往往由于漏電流大導(dǎo)致了片狀電容失效,引發(fā)了對片狀電容可靠性問題的爭論。

     

      

    可靠性問題:片狀電容失效分為三個(gè)階段:   

     

      第一階段是片狀電容生產(chǎn)、使用過程的失效,這一階段片狀電容失效與制造和加工工藝有關(guān)。片狀電容制造過程中,第一道工序陶瓷粉料、有機(jī)黏合劑和溶劑混合配料時(shí),有機(jī)黏合劑的選型和在瓷漿中的比例決定了瓷漿干燥后瓷膜的收縮率;第三道工序絲印時(shí)內(nèi)電極金屬層也較關(guān)鍵,否則易產(chǎn)生強(qiáng)的收縮應(yīng)力,燒結(jié)是形成瓷體和產(chǎn)生片狀電容電性能的決定性工序,燒結(jié)不良可以直接影響到電性能,且內(nèi)電極金屬層與陶瓷介質(zhì)燒結(jié)時(shí)收縮不一致導(dǎo)致瓷體內(nèi)部產(chǎn)生了微裂紋,這些微裂紋對一般電性能不會產(chǎn)生影響,但影響產(chǎn)品的可靠性。主要的失效模式表現(xiàn)為片狀電容絕緣電阻下降,漏電。

     

          

      防范、杜絕微裂紋的產(chǎn)生:從原材料選配、瓷漿制備、絲網(wǎng)印刷和高溫?zé)Y(jié)四方面優(yōu)選工藝參數(shù),以達(dá)到片狀電容內(nèi)部結(jié)構(gòu)合理,電性能穩(wěn)定,可靠性好。   

     

     

      第二階段是片狀電容穩(wěn)定地被用于電子線路中,該階段片狀電容失效概率正逐步減小,并趨于穩(wěn)定。分析片狀電容使用過程中片狀電容受到的機(jī)械和熱應(yīng)力,即分析加工過程中外力對片狀電容可能的沖擊作用,并依據(jù)片狀電容在加工過程中受到的應(yīng)力作用,設(shè)計(jì)各種應(yīng)力實(shí)驗(yàn)條件,衡量作用在片狀電容上的外應(yīng)力大小及其后果。也可具體做一些片狀電容可靠性實(shí)驗(yàn)以明確片狀電容前階段是否存在可靠性隱患。       

     


      片狀電容在該過程中受到熱和機(jī)械應(yīng)力的作用,嚴(yán)重時(shí)出現(xiàn)瓷體斷裂現(xiàn)象。若片狀電容受到的熱和機(jī)械應(yīng)力接近臨界時(shí),則不出現(xiàn)明顯的斷裂現(xiàn)象,而是表現(xiàn)為內(nèi)部裂紋的出現(xiàn)或內(nèi)部微裂紋的產(chǎn)生。用烙鐵補(bǔ)焊時(shí),明顯裂紋則表現(xiàn)為斷裂,微裂紋大多數(shù)表現(xiàn)為電性能恢復(fù)正常,漏電現(xiàn)象消失,但時(shí)間一長,片狀電容可靠性差的缺陷就體現(xiàn)出來。

     

       

      第三階段是片狀電容長時(shí)間工作后出現(xiàn)失效現(xiàn)象,這一階段片狀電容失效往往由于老化、磨損和疲勞等原因使元件性能惡化所致。電子整機(jī)到消費(fèi)者手中出現(xiàn)整機(jī)功能障礙,追溯原因,發(fā)現(xiàn)片狀電容漏電流大,失效。一般此類問題源自于第一階段或第二階段片狀電容可靠性隱患的最終暴露,該階段出現(xiàn)的質(zhì)量比前兩個(gè)階段嚴(yán)重得多。由于整機(jī)在消費(fèi)者使用過程中涉及到的條件,整機(jī)生產(chǎn)廠家和元器件廠家大多都模擬試驗(yàn)過,所以片狀電容在整機(jī)出廠前,應(yīng)符合電子線路的要求,但整機(jī)因片狀電容使用一段時(shí)間出現(xiàn)質(zhì)量問題,則要認(rèn)真研究片狀電容生產(chǎn)或加工過程中的質(zhì)量隱患。應(yīng)更換片狀電容以保證電子整機(jī)設(shè)備的正常工作。   

     

        

      片狀電容出現(xiàn)質(zhì)量問題,特別是涉及到可靠性方面的質(zhì)量問題,是一個(gè)復(fù)雜的過程。它的表現(xiàn)形式主要是瓷體斷裂、微裂或絕緣電阻下降、漏電流增大居多,出現(xiàn)片狀電容可靠性失效的質(zhì)量問題,應(yīng)從大角度、全方位、分階段分析、研究該問題。  

     

      

      當(dāng)然,客觀上片狀電容存在一定比率的失效率,針對與片狀電容有關(guān)的質(zhì)量問題,既要承認(rèn)陶瓷片狀電容存在一定脆性,又要認(rèn)可通過現(xiàn)代貼片、組裝技術(shù)能夠最大限度減少對陶瓷片狀電容的應(yīng)力沖擊。研究、分析片狀電容出現(xiàn)的質(zhì)量問題,找到問題產(chǎn)生的根源,對于現(xiàn)在大量使用于電子整機(jī)的片式電容而言,防范、杜絕可靠性問題的出現(xiàn),具有很現(xiàn)實(shí)的意義。  

     

        


      貼片電容不宜手工焊接,但如果條件不具備一定要用手工焊接,必須委任可靠的操作員;先把電容和基板預(yù)熱到150℃,用不大于20W和頭不超過3mm的電烙,焊接溫度不超過240℃,焊接時(shí)間不超過5S進(jìn)行,要非常小心不能讓烙鐵接觸貼片的瓷體,因?yàn)闀勾审w局部高溫而破裂。 

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