密集柜材質(zhì)參數(shù)規(guī)格：
1、立柱 1.2～1.5 優(yōu)質(zhì)冷軋鋼板
1、立柱 1.2～1.5 優(yōu)質(zhì)冷軋鋼板
2、頂板 1.0 優(yōu)質(zhì)冷軋鋼板
2、頂板 1.0 優(yōu)質(zhì)冷軋鋼板
3、隔板1.0 厚20mm三折邊成型，允許載荷80kg
3、隔板1.0 厚20mm三折邊成型，允許載荷80kg
4、掛板 1.2 優(yōu)質(zhì)冷軋鋼板
4、掛板 1.2 優(yōu)質(zhì)冷軋鋼板
5、側(cè)板 1.0 優(yōu)質(zhì)冷軋鋼板
5、側(cè)板 1.0 優(yōu)質(zhì)冷軋鋼板
6、門(mén)板 1.0 優(yōu)質(zhì)冷軋鋼板
一般把從連續(xù)信號(hào)到離散信號(hào)的過(guò)程叫采樣（sampling）。連續(xù)信號(hào)必須經(jīng)過(guò)采樣和量化才能被計(jì)算機(jī)處理，采樣是數(shù)字示波器作波形運(yùn)算和分析的基礎(chǔ)。通過(guò)測(cè)量等時(shí)間間隔波形的電壓幅值，并把該電壓轉(zhuǎn)化為用八位二進(jìn)制代碼表示的數(shù)字信息，這就是數(shù)字存儲(chǔ)示波器的采樣。采樣電壓之間的時(shí)間間隔越小，那么重建出來(lái)的波形就越接近原始信號(hào)。采樣率（samplingrate）就是采樣時(shí)間間隔。比如，如果示波器的采樣率是每秒10G次（10GSa/s），則意味著每100ps進(jìn)行一次采樣。
為了描述物理層結(jié)構(gòu)的特征，還必須進(jìn)行頻域分析。S參數(shù)模型說(shuō)明了這些數(shù)字電路結(jié)構(gòu)所展示出來(lái)的模擬特點(diǎn)包括：不連續(xù)點(diǎn)反射、頻率相關(guān)損耗、串?dāng)_和EMI等性能。為使設(shè)備性能符合標(biāo)準(zhǔn)，眼圖增加了重要的統(tǒng)計(jì)分析功能。為利用特性檢定技術(shù)改善仿真能力，可以采用基于測(cè)試結(jié)果的S參數(shù)或RLCG模型提取技術(shù)。隨著在多種工作模式下進(jìn)行數(shù)字和模擬綜合分析（時(shí)域和頻域）變得越來(lái)越重要，要完成這些測(cè)試功能，通常需要使用多種測(cè)試儀表，同時(shí)操作多種儀表正變得越來(lái)越困難。
智能型檔案密集柜的檔案資料管理能力。
我們購(gòu)買(mǎi)密集架基本上都是為了存儲(chǔ)與管理單位內(nèi)的檔案資料，那么能不能效率的進(jìn)行管理就成為了我們考慮的重點(diǎn)。智能型檔案密集柜的自動(dòng)定位功能，可以實(shí)現(xiàn)檔案資料的無(wú)序存放有序管理，能夠在快的速度內(nèi)找到我們所需要的檔案資料，這樣的話就能夠節(jié)省很多的時(shí)間，提高我們的檔案資料管理效率。
第二：智能型檔案密集柜的人員安全保障。
很多人擔(dān)心如果說(shuō)在架體內(nèi)存取資料的時(shí)候，萬(wàn)一密集架自己合上了，那不就會(huì)對(duì)人造成傷害嗎？其實(shí)智能型檔案密集柜的紅外線檢測(cè)功能能夠自己監(jiān)測(cè)出架體內(nèi)是不是有工作人員，一旦有工作人員在里面，架體就會(huì)鎖閉，這樣的話就不會(huì)出現(xiàn)架體自動(dòng)關(guān)閉造成傷害，能夠有效保障人員的操作安全。
第三：智能型檔案密集柜可以實(shí)現(xiàn)與原有系統(tǒng)的對(duì)接。
可能有些朋友在之前有自己的一些系統(tǒng)，里面存儲(chǔ)了很多的資料信息，就擔(dān)心買(mǎi)回來(lái)新的產(chǎn)品是不是要進(jìn)行資料的重新錄入，那樣的話就是一個(gè)很大的工作量。現(xiàn)在大型智能密集柜廠家的產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了與單位內(nèi)原有系統(tǒng)的對(duì)接，省去了重新錄入的麻煩，給我們節(jié)省了大量的時(shí)間以及工作量。
了解了隔離與非隔離DUT設(shè)備區(qū)別后，我們通過(guò)以下圖片了解CANDT系統(tǒng)中隔離與非隔離的接線區(qū)別以及其對(duì)測(cè)試的影響。隔離供電電路連接圖非隔離供電電路連接圖軟件設(shè)置供電類型隔離與非隔離對(duì)測(cè)試的影響，四種測(cè)試情況：被測(cè)件隔離供電，選用隔離供電測(cè)試；DUT接入隔離供電端口，系統(tǒng)設(shè)置中被測(cè)設(shè)備設(shè)置為隔離供電，測(cè)試可正確進(jìn)行；被測(cè)件非隔離供電，選用非隔離供電測(cè)試；DUT接入非隔離供電端口，系統(tǒng)設(shè)置中供電類型選擇非隔離供電，測(cè)試可正確進(jìn)行；被測(cè)件隔離供電，選用非隔離供電測(cè)試；DUT接入隔離供電端口，系統(tǒng)設(shè)置中供電類型選擇非隔離供電，此時(shí)無(wú)法形成供電回路，DUT無(wú)法正常工作。
于是，為了進(jìn)一步減小解決方案的尺寸，有許多多輸出IC可供選擇。這些IC通常包括集成的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)，同時(shí)至少要求配置有外部組件。而且，單就這些IC而言，其成本或許更為昂貴。通過(guò)減少生產(chǎn)過(guò)程中必須安裝到位的外部組件數(shù)量所獲得的收益，往往會(huì)抵消前期付出的高昂成本。采用何種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)呢?在如所示的實(shí)際應(yīng)用中，由于空間的限制，所以LDO將成為我們的。然而，由于功耗和效率的限制，實(shí)際情況并非總是如此。