某大型工廠在生產(chǎn)過(guò)程中采用 KRI 考夫曼平行型射頻離子源 RFICP220 輔助 DC/DC 混合電路生產(chǎn), 其主要目的是：
1. 去除處理物體表面的外來(lái)物層, 如沾污層、氧化層等
2. 改善物體表面狀態(tài), 提高物體表面活性, 提高物體表面能等
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伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):
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離子源型號(hào) |
RFICP220 |
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Discharge |
RFICP 射頻 |
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離子束流 |
>800 mA |
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離子動(dòng)能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
20 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
10-40 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長(zhǎng)度 |
30 cm |
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直徑 |
41 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
客戶存在的問(wèn)題:
客戶的背銀芯片很容易發(fā)生銀的硫化及氧化,將直接影響芯片的貼裝質(zhì)量.被硫化或氧化背銀的芯片采用導(dǎo)電膠粘接、氫氣燒結(jié)、再流焊貼裝均將有空洞率增大導(dǎo)致接觸電阻、熱阻增大和粘接強(qiáng)度下降等問(wèn)題.
解決方案:
客戶采用 KRI 考夫曼平行型射頻離子源 RFICP220 , 氬氣作為清洗氣體, 清洗時(shí)間200~300 s, 氣體流量40 sccm, 經(jīng)過(guò) KRI 考夫曼平行型射頻離子源 RFICP220 產(chǎn)生的離子束清洗芯片背面
運(yùn)行結(jié)果:
1. KRI 考夫曼平行型射頻離子源 RFICP220 有效去除背銀芯片硫化銀及氧化銀, 保證了芯片貼裝質(zhì)量
2. 可有效提高 DC/DC 混合電路組裝質(zhì)量及可靠性
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