Hakuto 離子蝕刻機 7.5IBE 技術規(guī)格:
|
真空腔 |
1 set, 主體不銹鋼,水冷 |
|
基片尺寸 |
1 set, 4”/6”? Stage, 直接冷卻, |
|
離子源 |
? 8cm 考夫曼離子源 KDC75 |
|
離子束入射角 |
0 Degree～± 90 Degree |
|
極限真空 |
≦1x10-4 Pa |
|
刻蝕性能 |
一致性: ≤±5% across 4” |
該實驗室采用的 Hakuto 離子刻蝕機 7.5IBE 的核心構件離子源是配伯東公司代理美國 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 75
伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC75 技術參數(shù)：
|
離子源型號 |
|
|
Discharge |
DC 熱離子 |
|
離子束流 |
>250 mA |
|
離子動能 |
100-1200 V |
|
柵極直徑 |
7.5 cm Φ |
|
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
流量 |
2-15 sccm |
|
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
|
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
|
長度 |
20.1 cm |
|
直徑 |
14 cm |
|
中和器 |
燈絲 |
* 可選: 一個陰極燈絲; 可調角度的支架
試驗結果:
Hakuto 離子刻蝕機 7.5IBE 刻蝕出的芯片表面平整、光滑,解決了濕法刻蝕難以解決的橫向腐蝕問題,并提高了刻蝕速率。
若您需要進一步的了解詳細產品信息或討論 , 請參考以下聯(lián)絡方式 :
上海伯東 : 羅先生 臺灣伯東 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
伯東版權所有, 翻拷必究！