| 三五族半導(dǎo)體N型、P型銻化鎵（GaSb）晶片，單面、雙面拋光 |
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價格：\u9762\u8bae 元(人民幣) | 產(chǎn)地：福建廈門 |
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廈門中芯晶研半導(dǎo)體有限公司
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銻化鎵（GaSb）半導(dǎo)體在 III-V族化合物材料中具有較小的帶隙，在室溫下其能帶隙為 0.70 eV (1.77 μm)，在 4K 下為 0.81 eV (1.53 μm)，適用于工作在紅外區(qū)域的光電器件和波長范圍為 1-5 μm 的電子器件？商峁╀R化鎵晶片如下：  2.?銻化鎵材料特性  2.2 GaSb 電氣性能 
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