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4英寸碳化硅（N型）規(guī)格書(shū)
材質(zhì)：4H碳化硅晶體
直徑：100 ± 0.2 mm
厚度：350 ± 20 um
表面取向：4°偏向±0.5°
主參考面取向：平行于±1°
主參考面長(zhǎng)度：30 mm ±1 mm
次參考面取向：順時(shí)針與主參考面成 90? ± 5.0?，Si 面朝上
次參考面長(zhǎng)度：16 mm ±1 mm
微管密度：≤50個(gè) cm^2（數(shù)據(jù)僅作參考）
導(dǎo)電類型：N型 氮摻雜
電阻率：75面積區(qū)域 ≤0.1 Ω·cm
拋光：雙面拋光
Si 面粗糙度：RaTTV≤15 um（數(shù)據(jù)僅作參考）
WARP≤25 um（數(shù)據(jù)僅作參考）
BOW≤20 um（數(shù)據(jù)僅作參考）
倒邊：無(wú)
多型：累計(jì)面積≤10％
裂紋，缺口： ≤2個(gè)，且每個(gè)長(zhǎng)度寬度均＜1mm
包裝：?jiǎn)纹邪b

關(guān)于碳化硅晶體
碳化硅（SiC）是Ⅳ-Ⅳ族二元化合物, 也是元素周期表Ⅳ組元素中唯一的穩(wěn)定固態(tài)化合物, 是一種重要的半導(dǎo)體材料。 它具有優(yōu)良的熱學(xué)、力學(xué)、化學(xué)和電學(xué)性質(zhì), 不僅是制作高溫、高頻、大功率電子器件的優(yōu)質(zhì)材料之一，也可以用作基于GaN的藍(lán)色發(fā)光二極管的襯底材料。目前用于襯底的碳化硅以4H為主，導(dǎo)電類型分為半絕緣型（非摻、摻雜）與N型。
碳化硅（SiC）功率器件能有效實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化。碳化硅功率器件的能量損耗只有Si器件的50，發(fā)熱量只有硅器件的50，且有更高的電流密度。在相同功率等級(jí)下，碳化硅功率模塊的體積顯著小于硅功率模塊,以智能功率模塊IPM為例，利用碳化硅功率器件，其模塊體積可縮小至硅功率模塊的1/3～2/3。