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H3B模擬磁場(chǎng)變送器描述
H3B是SENIS模擬磁場(chǎng)變送器，帶有離散3軸霍爾探頭，可以測(cè)量磁場(chǎng)的三個(gè)分量（Bx、By、Bz）。

霍爾探頭集成了三個(gè)具有良好角度精度的高分辨率離散霍爾傳感器（正交性誤差<2°）和溫度傳感器。

模塊E為霍爾探頭供電，通過(guò)使用旋轉(zhuǎn)電流技術(shù)從而減少偏移、低頻噪聲和平面霍爾效應(yīng)。電子模塊內(nèi)霍爾探頭輸出信號(hào)的附加調(diào)節(jié)包括霍爾信號(hào)放大、高線性化、溫度變化補(bǔ)償和頻率帶寬限制。

H3B模擬磁場(chǎng)變送器的輸出可在模塊E的連接器CoS處獲得：
?與磁通密度的所有三個(gè)測(cè)量分量（Bx、By、Bz）成比例的高電平差分電壓，
?與霍爾傳感器的實(shí)際溫度成比例的參考電壓。

H3B模擬磁場(chǎng)變送器主要特點(diǎn)：

? 混合三軸霍爾探頭（Bx、By、Bz），使用一個(gè)、兩個(gè)或三個(gè)通道
? 超低噪聲和低偏移波動(dòng)磁場(chǎng)傳感器，實(shí)現(xiàn)非常高的分辨率測(cè)量（噪聲頻譜密度低至10nT/）
? 線性度非常好
? 基于大幅度改進(jìn)的偏移和降噪技術(shù)的磁場(chǎng)變送器
? 極低的平面霍爾電壓
? 用于溫度補(bǔ)償?shù)奶筋^中的溫度傳感器
? 可提供各種霍爾探頭幾何形狀/尺寸

H3B模擬磁場(chǎng)變送器典型應(yīng)用：
?繪制磁場(chǎng)
?波蕩器系統(tǒng)的特性
?電流感應(yīng)
?在實(shí)驗(yàn)室和生產(chǎn)線上的應(yīng)用
?磁體系統(tǒng)（發(fā)電機(jī)、電機(jī)等）的質(zhì)量控制和監(jiān)測(cè)。