| 產(chǎn)品參數(shù) | | 品牌 | ON | | 封裝 | TO-263-3 | | 批號 | 1950 | | 數(shù)量 | 11200 | | 制造商 | ON Semiconductor | | 產(chǎn)品種類 | MOSFET | | RoHS | 是 | | 安裝風格 | SMD/SMT | | 封裝 / 箱體 | TO-263-3 | | 通道數(shù)量 | 1 Channel | | 晶體管極性 | N-Channel | | Vds-漏源極擊穿電壓 | 900 V | | Id-連續(xù)漏極電流 | 5.4 A | | Rds On-漏源導通電阻 | 2.3 Ohms | | Vgs - 柵極-源極電壓 | 30 V | | 最小工作溫度 | - 55 C | | 最大工作溫度 | 150 C | | Pd-功率耗散 | 3.13 W | | 配置 | Single | | 通道模式 | Enhancement | | 高度 | 4.83 mm | | 長度 | 10.67 mm | | 系列 | FQB5N90 | | 晶體管類型 | 1 N-Channel | | 寬度 | 9.65 mm | | 正向跨導 - 最小值 | 5.6 S | | 下降時間 | 50 ns | | 上升時間 | 65 ns | | 典型關(guān)閉延遲時間 | 65 ns | | 典型接通延遲時間 | 28 ns | | 零件號別名 | _NL | | 單位重量 | 1.312 g | | 可售賣地 | 全國 | | 型號 | | | .jpg)
技術(shù)參數(shù)| 品牌： | ON | | 型號： | FQB5N90TM | | 封裝： | TO-263-3 | | 批號： | 1950 | | 數(shù)量： | 11200 | | 制造商： | ON Semiconductor | | 產(chǎn)品種類： | MOSFET | | RoHS： | 是 | | 安裝風格： | SMD/SMT | | 封裝 / 箱體： | TO-263-3 | | 通道數(shù)量： | 1 Channel | | 晶體管極性： | N-Channel | | Vds-漏源極擊穿電壓： | 900 V | | Id-連續(xù)漏極電流： | 5.4 A | | Rds On-漏源導通電阻： | 2.3 Ohms | | Vgs - 柵極-源極電壓： | 30 V | | 最小工作溫度： | - 55 C | | 最大工作溫度： | 150 C | | Pd-功率耗散： | 3.13 W | | 配置： | Single | | 通道模式： | Enhancement | | 高度： | 4.83 mm | | 長度： | 10.67 mm | | 系列： | FQB5N90 | | 晶體管類型： | 1 N-Channel | | 寬度： | 9.65 mm | | 正向跨導 - 最小值： | 5.6 S | | 下降時間： | 50 ns | | 上升時間： | 65 ns | | 典型關(guān)閉延遲時間： | 65 ns | | 典型接通延遲時間： | 28 ns | | 零件號別名： | FQB5N90TM_NL | | 單位重量： | 1.312 g |
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