產(chǎn)品參數(shù) | 品牌 | ON | 封裝 | TSOP-6 | 批號 | 1946 | 數(shù)量 | 9000 | 制造商 | onsemi | 產(chǎn)品種類 | MOSFET | RoHS | 是 | 安裝風格 | SMD/SMT | 封裝 / 箱體 | TSOP-6 | 晶體管極性 | N-Channel | P-Channel | 通道數(shù)量 | 2 Channel | Vds-漏源極擊穿電壓 | 8 V | Id-連續(xù)漏極電流 | 3.3 A | Rds On-漏源導通電阻 | 55 mOhms | Vgs - 柵極-源極電壓 | - 8 V | 8 V | Vgs th-柵源極閾值電壓 | 600 mV | 最小工作溫度 | - 55 C | 最大工作溫度 | 150 C | Pd-功率耗散 | 830 mW | 通道模式 | Enhancement | 系列 | NTGD1100L | 配置 | Dual | 高度 | 0.94 mm | 長度 | 3 mm | 晶體管類型 | MOSFET | 寬度 | 20 mg | 可售賣地 | 全國 | 型號 | | | .jpg)
技術(shù)參數(shù)品牌: | ON | 型號: | NTGD1100LT1G | 封裝: | TSOP-6 | 批號: | 1946 | 數(shù)量: | 9000 | 制造商: | onsemi | 產(chǎn)品種類: | MOSFET | RoHS: | 是 | 安裝風格: | SMD/SMT | 封裝 / 箱體: | TSOP-6 | 晶體管極性: | N-Channel, P-Channel | 通道數(shù)量: | 2 Channel | Vds-漏源極擊穿電壓: | 8 V | Id-連續(xù)漏極電流: | 3.3 A | Rds On-漏源導通電阻: | 55 mOhms | Vgs - 柵極-源極電壓: | - 8 V, 8 V | Vgs th-柵源極閾值電壓: | 600 mV | 最小工作溫度: | - 55 C | 最大工作溫度: | 150 C | Pd-功率耗散: | 830 mW | 通道模式: | Enhancement | 系列: | NTGD1100L | 配置: | Dual | 高度: | 0.94 mm | 長度: | 3 mm | 晶體管類型: | MOSFET | 寬度: | 20 mg |
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