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NTGD1100LT1G

	價格：0.7560 元(人民幣)	產(chǎn)地：廣東省深圳市
	最少起訂量：1	發(fā)貨地：廣東省深圳市
	上架時間：2024-07-23 01:10:07	瀏覽量：6
	深圳市共強科技有限公司
	經(jīng)營模式：經(jīng)銷商	公司類型：私營獨資企業(yè)
	所屬行業(yè)：集成電路/IC	主要客戶：電子廠
	在線咨詢

聯(lián)系方式

聯(lián)系人:周先生 (先生)	手機:15889711789
電話:	傳真:
郵箱:info@gqbetter.com	地址:深圳市寶安區(qū)西鄉(xiāng)街道共樂社區(qū)鐵仔路九方廣場2棟1503

詳細介紹

產(chǎn)品參數(shù)
品牌	ON
封裝	TSOP-6
批號	1946
數(shù)量	9000
制造商	onsemi
產(chǎn)品種類	MOSFET
RoHS	是
安裝風格	SMD/SMT
封裝 / 箱體	TSOP-6
晶體管極性	N-Channel
P-Channel
通道數(shù)量	2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓	8 V
Id-連續(xù)漏極電流	3.3 A
Rds On-漏源導通電阻	55 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓	- 8 V
8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓	600 mV
最小工作溫度	- 55 C
最大工作溫度	150 C
Pd-功率耗散	830 mW
通道模式	Enhancement
系列	NTGD1100L
配置	Dual
高度	0.94 mm
長度	3 mm
晶體管類型	MOSFET
寬度	20 mg
可售賣地	全國
型號

技術(shù)參數(shù)

品牌：	ON
型號：	NTGD1100LT1G
封裝：	TSOP-6
批號：	1946
數(shù)量：	9000
制造商：	onsemi
產(chǎn)品種類：	MOSFET
RoHS：	是
安裝風格：	SMD/SMT
封裝 / 箱體：	TSOP-6
晶體管極性：	N-Channel, P-Channel
通道數(shù)量：	2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：	8 V
Id-連續(xù)漏極電流：	3.3 A
Rds On-漏源導通電阻：	55 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：	- 8 V, 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：	600 mV
最小工作溫度：	- 55 C
最大工作溫度：	150 C
Pd-功率耗散：	830 mW
通道模式：	Enhancement
系列：	NTGD1100L
配置：	Dual
高度：	0.94 mm
長度：	3 mm
晶體管類型：	MOSFET
寬度：	20 mg

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