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京邁研廠家直銷 科研實驗專用 高純銅靶材顆粒Cu靶材磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發(fā)料

純度 99.999%

產(chǎn)品介紹

   銅是人類最早使用的金屬之一，它是一種過渡元素，延展性好，導熱性和導電性高，因此在電纜和電氣、電子元件是最常用的材料，也可用作建筑材料，可以組成眾多種合金。銅的活動性較弱，鐵單質(zhì)與硫酸銅反應(yīng)可以置換出銅單質(zhì)。銅單質(zhì)不溶于非氧化性酸。

  銅靶材是真空鍍膜行業(yè)濺射靶材中的一種，是高純銅材料經(jīng)過系列加工后的產(chǎn)品，具有特定的尺寸和形狀高純銅材料。由于高純銅特別是超高純銅具有許多優(yōu)良的特性。

銅靶材用途
適用于直流二極濺射、三極濺射、四級濺射、射頻濺射、對向靶濺射、離子束濺射、磁控濺射等，導電膜、半導體薄膜、電容器薄膜、裝飾膜、保護膜、集成電路、顯示器等，相對其它靶材，銅靶材的價格較低，所以銅靶材是在能滿足膜層的功能前提下的首選靶材料
產(chǎn)品參數(shù)

中文名 銅  分子量 63.546   原子序數(shù) 29    熔點（°C） 1357.77K(1083.4℃)
密度   8.960（固態(tài)）8.920（熔融液態(tài)） 沸    點 單質(zhì)2835K（2562℃）  原子半徑 145pm  莫氏硬度 3

高純?yōu)R射靶材（規(guī)格按要求定做）

高純金屬濺射靶材
鋁靶Al、鉻靶Cr、銅靶Cu、鐵靶Fe、鋅靶Zn、錫靶Sn、鎂靶Mg、鈷靶Co、鎳靶Ni、鈦靶Ti、金靶Au、銀靶Ag、鉑靶Pt、錸靶Re、釕靶Ru、鈀靶Pd、銠靶Rh、銥靶Ir、銦靶In、釩靶V、鎘靶Cd、鎢靶W、鉬靶Mo、鉭靶Ta、鈮靶Nb、鋯靶Zr、鉿靶Hf、鍺靶Ge、硅靶Si、錳靶Mn、鉍靶Bi、硒靶Se、硼靶B、鈣靶Ca

合金濺射靶材 （規(guī)格按要求定做）
鈦鋁Ti-Al、鋁硅Al-Si、鋁銅Al-Cu、鋁鈦Al-Ti、銀銅Ag-Cu、鋁鎂Al-Mg、鈷鐵硼Co-Fe-B、銅銦鎵Cu-In-Ga、鐵錳Fe-Mn、銦錫In-Sn、鈷鐵Co-Fe、鎳鈷Ni-Co、鎳鐵Ni-Fe、鎳鉻Ni-Cr、鎳鋯Ni-Zr、鎳鋁Ni-Al、鎳銅Ni-Cu、鎳釩Ni-V、鎢鈦W-Ti、鋅鋁Zn-Al、鋁鈦硼Al-Ti-B、鋁鈧Al-Sc、釩鋁鐵V-Al-Fe、銅錫Cu-Sn、鋯鋁Zr-Al、釩鋁V-Al、硼鐵B-Fe

陶瓷靶材 （規(guī)格按要求定做）
ITO靶材、AZO靶材、IGZO靶材、氧化鎂靶材MgO、氧化釔靶材Y2O3、氧化鐵靶材Fe2O3、氧化鎳靶材Ni2O3、氧化鉻靶材Cr2O3、氧化鋅靶材ZnO、硫化鋅靶材ZnS、硫化鎘靶材CdS、硫化鉬靶材MoS2、二氧化硅靶材SiO2、一氧化硅靶材SiO、二氧化鋯靶材ZrO2、五氧化二鈮靶材Nb2O5、二氧化鈦靶材TiO2、二氧化鉿靶材HfO2、二硼化鈦靶材TiB2、二硼化鋯靶材ZrB2、三氧化鎢靶材WO3、三氧化二鋁靶材Al2O3、五氧化二鉭靶材Ta2O5、氟化鎂靶材MgF2、硒化鋅靶材ZnSe、氮化鋁靶材AlN、氮化硅靶材Si3N4、氮化硼靶材BN、氮化鈦靶材TiN、碳化硅靶材SiC、鈮酸鋰靶材LiNbO3、鈦酸鐠靶材PrTiO3、鈦酸鋇靶材BaTiO3、鈦酸鑭靶材LaTiO3、鈦酸鍶靶材SrTiO3等高密度陶瓷濺射靶材.

稀土靶材
 釓靶Gd、釤靶Sm、碲靶Te、鏑靶Dy、鈰靶Ce、釔靶Y、鑭靶La、銻靶Sb、鐿靶Yb、鉺靶Er、鋱靶Tb、鈥靶Ho、銩靶Tm、釹靶Nd、鐠靶Pr、镥靶Lu

稀土陶瓷靶
氧化鑭靶La2O3、氧化鈰靶CeO2、氧化鐠靶Pr6O11、氧化釹Nd2O3、氧化釤靶Sm2O3、氧化釹靶Nd2O3、氧化鉺Er2O3靶、氧化銩靶Tm2O3、氧化鈥靶Ho2O3、氧化銪靶Eu2O3等稀土陶瓷靶材