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電容器的選用方法

一.選擇合適的型號(hào)

根據(jù)電路要求，一般用于低頻耦合、旁路去耦等，電氣性能要求較低時(shí)，可以采用紙介電容器、電解電容器等。

晶體管低頻放大器的耦合電容器，選用1～22μF的電解電容器。旁路電容器根據(jù)電路的工作頻率來選，如在低頻電路中，發(fā)射極旁路電容選用電解電容器，容量在10～220μF之間；在中頻電路中，可選用0.01~0.1μF的紙介、金屬化紙介、有機(jī)薄膜電容器等；在高頻電路中應(yīng)選擇高頻瓷介質(zhì)電容器；若要求在高溫下工作，則應(yīng)選玻璃釉電容器等。  在電源濾波和退耦電路中，可選用電解電容器。因?yàn)樵谶@些使用場合，對(duì)電容器性能要求不高，只要體積不大，容量夠用就可以了。

對(duì)于可變電容器，應(yīng)根據(jù)電容統(tǒng)調(diào)的級(jí)數(shù)，確定應(yīng)采用單聯(lián)或多聯(lián)的可變電容器，然后根據(jù)容量的變化范圍、容量變化曲線、體積等要求確定相應(yīng)品種的電容器。

二.合理確定電容器的容量和誤差

電容器容量的數(shù)值，必須按規(guī)定的標(biāo)稱值來進(jìn)行選擇。

電容器的誤差等級(jí)有多種，在低頻耦合、去耦、電源濾波等電路中，電容器可以±5%、±10%、±20%等誤差等級(jí)，但在振蕩回路、延時(shí)電路、音調(diào)控制電路中，電容器的精度要稍高一些；在各種濾波器和各種網(wǎng)絡(luò)中，要求選用高精度的電容器。

第三：耐壓值的選擇

為保證電容器的正常工作，被選用的電容器的耐值不僅要大于實(shí)際工作電壓，而且還要留有足夠的余地，一般選用耐壓值為實(shí)際工作電壓兩倍以上的電容器。

第四：注意電容器的溫度系數(shù)，高頻特性等參數(shù)

在振蕩電路中的振蕩元件、移相網(wǎng)絡(luò)元件、濾波器等，應(yīng)選用溫度系數(shù)小的電容器，以確保其性能。

貼片電容介紹：

貼片電容名片式積層電容是一次性高溫?zé)Y(jié)而成的也是由印好電極（內(nèi)電極）的陶瓷介質(zhì)膜片以錯(cuò)位的方式疊合而成。

貼片電容內(nèi)部結(jié)構(gòu)簡介：

貼片電容主要包括三大部分：陶瓷介質(zhì)、內(nèi)電極、端電極.其中陶瓷介質(zhì)的主要作用是在電場作用下，極化介電儲(chǔ)能。當(dāng)電場變化時(shí)極化率相應(yīng)發(fā)生變化時(shí)，由于不同介質(zhì)種類的主要極化類型不同，其對(duì)電場變化的響應(yīng)速度和極化率也不相同。

電極分為內(nèi)電極與端電極。其中內(nèi)電極位于貼片電容器內(nèi)部，主要提供電極板正對(duì)面積，它與介質(zhì)一般是交替疊放。

貼片電容是一種小型電容器，它的封裝規(guī)格有0201 0402 0603 0805 1206等幾種，材質(zhì)有X7R Z5U Y5V NPO四種，最常用的是X7R與NPO材質(zhì)。

貼片電容介質(zhì)強(qiáng)度表征的是介質(zhì)材料承受高強(qiáng)度電場作用而不被電擊穿的能力,通常用伏特/密爾(V/mil)或伏特/厘米(V/cm)表示. 當(dāng)外電場強(qiáng)度達(dá)到某一臨界值時(shí),材料晶體點(diǎn)陣中的電子克服電荷恢復(fù)力的束縛并出現(xiàn)場致電子發(fā)射,產(chǎn)生出足夠多的自由電子相互碰撞導(dǎo)致雪崩效應(yīng),進(jìn)而導(dǎo)致突發(fā)擊穿電流擊穿介質(zhì),使其失效.除此之外,介質(zhì)失效還有另一種模式,高壓負(fù)荷下產(chǎn)生的熱量會(huì)使介質(zhì)材料的電阻率降低到某一程度,如果在這個(gè)程度上延續(xù)足夠長的時(shí)間,將會(huì)在介質(zhì)最薄弱的部位上產(chǎn)生漏電流.這種模式與溫度密切相關(guān),介質(zhì)強(qiáng)度隨溫度提高而下降.

  任何絕緣體的本征介質(zhì)強(qiáng)度都會(huì)因?yàn)椴牧衔⒔Y(jié)構(gòu)中物理缺陷的存在而出現(xiàn)下降,而且和絕緣電阻一樣,介質(zhì)強(qiáng)度也與幾何尺寸密切相關(guān).由于材料體積增大會(huì)導(dǎo)致缺陷隨機(jī)出現(xiàn)的概率增大,因此介質(zhì)強(qiáng)度反比于介質(zhì)層厚度.類似地,介質(zhì)強(qiáng)度反比于片式電容器內(nèi)部電極層數(shù)和其物理尺寸.基於以上考慮,進(jìn)行片式電容器留邊量設(shè)計(jì)時(shí)需要確保在使用過程中和在進(jìn)行耐壓測(cè)試(一般為其工作電壓的2.5倍)時(shí),不發(fā)生擊穿失效.

  正確選擇一顆貼片電容時(shí)，除了要提供其規(guī)格尺寸及容量大小外，還必須特別注意到電路對(duì)這顆片式電容的溫度系數(shù)、額定電壓等參數(shù)的要求。貼片電容標(biāo)準(zhǔn)命名方法及定義：貼片電容的命名，國內(nèi)和國外的產(chǎn)家有一此區(qū)別但所包含的參數(shù)是一樣的

   相信很多人被一個(gè)問題困擾著，那就是貼片電容容量不好識(shí)別，特別是個(gè)人使用有時(shí)候想換個(gè)電容都不知道要怎么換，為何貼片電容上面沒有印字識(shí)別呢？首先貼片電容不同于電阻，電容材質(zhì)是陶瓷產(chǎn)品，在生產(chǎn)中無法絲印字體上去，一般標(biāo)識(shí)都貼在封裝上面，所以大家在購買時(shí)要看好盤裝上的標(biāo)簽。如果您不懂貼片電容轉(zhuǎn)換法可參考我司另一篇新聞:貼片電容單位換算法  

  如果您需要替換電路中的電容卻不知道它的容量，那只能使用萬用表或者電橋測(cè)試出它的容量了。

貼片電容由6個(gè)部分構(gòu)成

 第一部份為：產(chǎn)品規(guī)格。

 第二部份為：溫度特性（又簡稱材質(zhì)）。

 第三部份為：額定電壓。

 第四部份為：額定容量。

 第五部份為：額定容量的允許偏差。

 第六部份為：包裝方式。

【例】C2012   X7R    1H   102    K     T   0000

     （1）   （2）   （3）（4） （5） （6）     (7)

尺  寸          （單位：mm）

TDK(代碼)

額定電壓 L W  T

 1005（C0402）1H，1E，1C，1A  1．00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05

1608(C0603)  1H，1E，1C，1A  1.6±0.1    0.8±0.1   0.8±0.1  (0.8+0.15/-0.10)

 2012(C0805)  1H，1E，1C，1A  2.0±0.2    1.25±0.2  0.60±0.15 0.35±0.15  1.25±0.20

3216(C1206)  1H,1E,1C,1A,OJ  3.2±0.2  1.6±0.2 0.60±0.15  0.85±0.15

 1.15±0.15   1.30±0.20  3.2+0.3/-0.1  1.6+0.3/-0.1         1.60+0.3/-0.1

3225(C1210)  1H, 1E, 1C  3.2±0.4  2.5±0.3  1.15±0.15  1.60±0.30  2.00±0.30

4532(C1812)  1H, 1E, 1C  4.5±0.4  3.2±0.4  1.30±0.20  1.60±0.30  2.00±0.30  2.30±0.30

5750(C2220)  1H, 1E, 1C 5.7±0.4  5.0±0.4   1.60±0.30  2.00±0.30  2.30±0.30  2.80±0.30

（2）溫度特性：

 項(xiàng)   目  性   能  項(xiàng)   目  性    能

 靜電容量溫度特性（I類）

溫度系（數(shù)PPM/℃）

COG：

0±30

 C H

 0±60

容量漂移：±0.2%或±0.05PF  max (兩大中取大者)

靜電容量溫度 特性（II類）

溫度特性

 變化率（%）

B±10 X5R±15X7R ±15

 F+30-80

 Y5V+22-82

（3）額定電壓：

O  J

 DC  6.3V 1E

 DC  25V 1  A

 DC  10V 1H

 DC  50V 1  C

 DC  16V

  ( 4 )公稱靜電電容以３位數(shù)字法表示，單位為ＰＦ。前兩位數(shù)字表示容量的有效值，第三位數(shù)字表示10的乘冂（即‘０’的個(gè)數(shù)）。字母‘Ｒ’表示非整數(shù)值之小數(shù)點(diǎn)，但首位數(shù)不得為‘０’。

 【例】335→3，300，000PF（3.3UF） (33×105  =3,300,000PF)

  080→8.0PF     (8×100  =8.0Pf)   4R7→4.7PF

(5)靜電容量允許容差

 記號(hào)

C±0.25pf、D±0.5pf、J±5%、K±10%、M±20%、Z+80/-20%

允許容差

 靜電容量

10pf(含)以下

10PF以上