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三極管的參數反映了三極管各種性能的指標，是分析三極管電路和選用三極管的依據。
????一、電流放大系數
????1．共發(fā)射極電流放大系數
????（1）共發(fā)射極直流電流放大系數，它表示三極管在共射極連接時，某工作點處直流電流IC與IB的比值，當忽略ICBO時
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????（2）共發(fā)射極交流電流放大系數β它表示三極管共射極連接、且UCE恒定時，集電極電流變化量ΔIC與基極電流變化量ΔIB之比，即
????管子的β值大小時，放大作用差；β值太大時，工作性能不穩(wěn)定。因此，一般選用β為30～80的管子。
????2．共基極電流放大系數
????共基極直流電流放大系數它表示三極管在共基極連接時，某工作點處IC 與 IE的比值。在忽略ICBO的情況下
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????（2）共基極交流電流放大系數α，它表示三極管作共基極連接時，在UCB 恒定的情況下，IC和IE的變化量之比，即：
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????通常在ICBO很小時，與β，與α相差很小，因此，實際使用中經常混用而不加區(qū)別。
????二、極間反向電流
????1．集-基反向飽和電流ICBO
????ICBO是指發(fā)射極開路，在集電極與基極之間加上一定的反向電壓時，所對應的反向電流。它是少子的漂移電流。在一定溫度下，ICBO 是一個常量。隨著溫度的升高ICBO將增大，它是三極管工作不穩(wěn)定的主要因素。在相同環(huán)境溫度下，硅管的ICBO比鍺管的ICBO小得多。
????2．穿透電流ICEO
????ICEO是指基極開路，集電極與發(fā)射極之間加一定反向電壓時的集電極電流。
????該電流好象從集電極直通發(fā)射極一樣，故稱為穿透電流。ICEO和ICBO一樣，也是衡量三極管熱穩(wěn)定性的重要參數。
????三、頻率參數
頻率參數是反映三極管電流放大能力與工作頻率關系的參數，表征三極管的頻率適用范圍。
????1．共射極截止頻率fβ
????三極管的β值是頻率的函數，中頻段β=βo幾乎與頻率無關，但是隨著頻率的增高，β值下降。當β值下降到中頻段βO1／倍時，所對應的頻率，稱為共射極截止頻率，用fβ表示。
????2．特征頻率fT
????當三極管的β值下降到β＝1時所對應的頻率，稱為特征頻率。在fβ～fT的范圍內，β值與f幾乎成線性關系，f越高，β越小，當工作頻率f＞fT，時，三極管便失去了放大能力。
????四、極限參數
1．最大允許集電極耗散功率PCM
????PCM 是指三極管集電結受熱而引起晶體管參數的變化不超過所規(guī)定的允許值時，集電極耗散的最大功率。當實際功耗Pc大于PCM時，不僅使管子的參數發(fā)生變化，甚至還會燒壞管子。 ???
????當已知管子的PCM 時，利用上式可以在輸出特性曲線上畫出PCM 曲線。
2．最大允許集電極電流ICM
????當IC很大時，β值逐漸下降。一般規(guī)定在β值下降到額定值的2／3（或1／2）時所對應的集電極電流為ICM當IC＞ICM時，β值已減小到不實用的程度，且有燒毀管子的可能。
????3．反向擊穿電壓BVCEO與BVCEO
????BVCEO是指基極開路時，集電極與發(fā)射極間的反向擊穿電壓。
????BVCBO是指發(fā)射極開路時，集電極與基極間的反向擊穿電壓。一般情況下同一管子的
????BVCEO（0.5～0.8）BVCBO 。三極管的反向工作電壓應小于擊穿電壓的（1／2～1／3），以保證管子安全可靠地工作。
三極管的3個極限參數PCM 、ICM、BVCEO和前面講的臨界飽和線 、截止線所包圍的區(qū)域，便是三極管安全工作的線性放大區(qū)。一般作放大用的三極管，均須工作于此區(qū)。
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???????????????????三極管符號
?????????半導體三極管也稱為晶體三極管,可以說它是電子電路中最重要的器件。它最主要的功能是電流放大和開關作用。三極管顧名思義具有三個電極。二極管是由一個PN結構成的,而三極管由兩個PN結構成,共用的一個電極成為三極管的基極(用字母b表示)。其他的兩個電極成為集電極(用字母c表示)和發(fā)射極(用字母e表示)由于不同的組合方式,形成了一種是NPN型的三極管,另一種是PNP型的三極管。
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三極管的種類很多,并且不同型號各有不同的用途。三極管大都是塑料封裝或金屬封裝,常見三極管的外觀,有一個箭頭的電極是發(fā)射極,箭頭朝外的是NPN型三極管,而箭頭朝內的是PNP型。實際上箭頭所指的方向是電流的方向。
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電子制作中常用的三極管有90××系列,包括低頻小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP),低噪聲管9014(NPN),高頻小功率管9018(NPN)等。它們的型號一般都標在塑殼上,而樣子都一樣,都是TO-92標準封裝。
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在老式的電子產品中還能見3DG6(低頻小功率硅管)、3AX31(低頻小功率鍺管)等,它們的型號也都印在金屬的外殼上。我國生產的晶體管有一套命名規(guī)則,電子工程技術人員和電子愛好者應該了解三極管符號的含義。符號的第一部分“3”表示三極管。
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符號的第二部分表示器件的材料和結構:A——PNP型鍺材料;B——NPN型鍺材料;C——PNP型硅材料;D——NPN型硅材料。符號的第三部分表示功能:U——光電管;K——開關管;X——低頻小功率管;G——高頻小功率管;D——低頻大功率管;A——高頻大功率管。另外,3DJ型為場效應管,BT打頭的表示半導體特殊元件。
晶體管：最常用的有三極管和二極管兩種。三極管符號不同，三極管符號BG（舊）或（T）表示，二極管以D表示。按制作材料分，晶體管可分為鍺管和硅管兩種。
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