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三種工藝比較<\/span> <\/h2>
制備電子工業(yè)超純水的工藝基本上是以上三種，其余的工藝流程大都是在以上三種基本工藝流程的基礎(chǔ)上進行不同組合搭配衍生而來�，F(xiàn)將他們的優(yōu)缺點分別列于下面： <\/div> 1.采用傳統(tǒng)的離子交換樹脂其優(yōu)點在于初次投資少，占用的地方少，但缺點就是需要經(jīng)常進行離子再生，耗費大量酸堿，而且對環(huán)境有一定的破壞。 <\/div>
2.采用反滲透+離子交換設(shè)備，其特點為初次投資比采用離子交換樹脂方式要稍高，但離子再生周期相對要長，耗費的酸堿比單純采用離子樹脂的方式要少很多。是比較經(jīng)濟與流行的一種工藝。 <\/div>
3.采用反滲透作預處理再配上電去離子裝置，這是目前最環(huán)保的的工藝，不需要用酸堿進行再生便可連續(xù)制取超純水，對環(huán)境沒什么破壞性。其缺點在于初次投資相對以上兩種方式過于昂貴。 <\/div>

設(shè)備特點<\/span> <\/h2>
電子工業(yè)超純水設(shè)備通常由多介質(zhì)過濾器，活性碳過濾器，鈉離子軟化器、精密過濾器等構(gòu)成預處理系統(tǒng)、RO反滲透主機系統(tǒng)、離子交換混床(EDI電除鹽系統(tǒng))系統(tǒng)等構(gòu)成主要設(shè)備系統(tǒng)。原水箱、中間水箱、RO純水水箱、超純水水箱均設(shè)有液位控制系統(tǒng)、高低壓水泵均設(shè)有高低壓壓力保護裝置、在線水質(zhì)檢測控制儀表、電氣采用PLC可編程控制器，真正做到了無人值守，同時在工藝選材上采用推薦和客戶要求相統(tǒng)一的方法，使該設(shè)備與其它同類產(chǎn)品相比較，具有更高的性價比和設(shè)備可靠性。 <\/div>

電路板用設(shè)備<\/span> <\/h2>

主要應(yīng)用<\/span> <\/h3>
1.
大規(guī)模集成電路元器件的生產(chǎn)用水，一般電阻率均大于18MO-CM。按有關(guān)用水標準(GB/T11446.1-1997)執(zhí)行。 <\/div>
2.
電子元件廠，在焊接和組裝過程中的沖洗用水。依據(jù)電子元件生產(chǎn)工藝不同，其用水標準中(即GB/T11446.1-1997)有可為四級(一級電導率18MO-CM以上，二級電阻率不低于15MO-CM，3級電阻率12MO-CM,
4級為0.5MO-CM)。 <\/div>

技術(shù)特征<\/span> <\/h3>
制取電子級超純水 <\/div>
可連續(xù)自動生產(chǎn)，不必停機再生 <\/div>
出水水質(zhì)優(yōu)于常規(guī)離子交換法 <\/div>
不需酸堿再生，不污染環(huán)境 <\/div>
運行成本低，占地面積小 <\/div>

應(yīng)用領(lǐng)域<\/span> <\/h2>
1、半導體材料、器件、印刷電路板和集成電路成品、半成品用超純水; <\/div>
2、超純材料和超純化學試劑勾兌用超純水; <\/div>
3、實驗室和中試車間用超純水; <\/div>
4、汽車、家電表面拋光處理; <\/div>
5、光電子產(chǎn)品; <\/div>
6、其他高科技精微產(chǎn)品。 <\/div>

進水指標<\/span> <\/h2>
◎通常為單級反滲透或二級反滲透的滲透水。 <\/div>
◎TEA(總可交換陰離子，以CaCO3計)：<25ppm。 <\/div>
◎電導率：<40μS/cm。 <\/div>
◎PH：6.0～9.0。當總硬度低于0.1ppm時，EDI工作的pH范圍為8.0～9.0。 <\/div>
◎溫度： 5～35℃。 <\/div>
◎進水壓力：<4bar(60psi)。 <\/div>
◎硬度：(以CaCO3計)：<1.0ppm。 <\/div>
◎有機物( TOC)：<0.5ppm。 <\/div>
◎氧化劑：Cl2<0.05ppm，O3<0.02ppm。 <\/div>
◎變價金屬： Fe<0.01ppm，Mn<0.02ppm。 <\/div>
◎H2S：<0.01ppm。 <\/div>
◎二氧化硅：<0.5ppm。 <\/div>
◎色度：<5APHA。 <\/div>
◎二氧化碳的總量：<10ppm <\/div>
◎ SDI 15min：<1.0。<sup>[2]<\/sup> <\/div>


<\/div><\/div></sup>