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而且當(dāng)熔體發(fā)生熔斷時其兩端的電壓也很高,往往會出現(xiàn)熔體已熔化(熔斷)甚至已汽化,但是電流并沒有切斷,其原因就是在熔斷的一瞬間在電壓及電流的作用下,絲的兩電極之間發(fā)生拉弧現(xiàn)象。這個滅弧裝置必須有很強(qiáng)的絕緣性與很好的導(dǎo)熱性,且呈負(fù)電性。石英砂就是常用的滅弧材料。熔斷裝置另外,還有一些絲有熔斷指示裝置,它的作用就是當(dāng)絲動作(熔斷)后其本身發(fā)生一定的外觀變化,易于被維修人員發(fā)現(xiàn),例如:發(fā)光、變色、彈出固體指示器等。分?jǐn)嗄芰庉嫯?dāng)介于常規(guī)不熔斷電流與相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的額定分?jǐn)嗄芰Γǖ碾娏鳎┲g的電流作用于絲時,絲應(yīng)能滿意地動作,而且不會危及周圍環(huán)境。絲被安置的電路的預(yù)期故障電流必須小于標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的額定分?jǐn)嗄芰﹄娏鳌?img alt="泊頭市SANIL開關(guān)SBF-1,Amp,NPN,2m," src="http://myvip.jdzj.com/UserDocument/mallpic/lixun98/Picture/200225090148209.jpg" />
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使GTO晶閘管相形見絀。因此,在大量的中小容量變頻器中,GTO晶閘管已基本不用。但其工作電流大,故在大容量變頻器中,仍居主要地位。逆變器件的介紹:上次我們向大家介紹了普通晶閘管(SCR)和門極關(guān)斷晶閘管(GTO),重要是讓大家了解變頻器中逆變器件是如何工作的,它們起到什么作用!接下來我們講:大功率晶體管(GTR)-大功率晶體管,也叫雙極結(jié)型晶體管(BJT)。變頻器用的GTR一般都是(復(fù)合管)模塊,其內(nèi)部有三個極分別是集電極C、發(fā)射極E和基極B。根據(jù)變頻器的工作特點(diǎn),在晶體管旁還并聯(lián)了一個反向連接的續(xù)流二極管。又根據(jù)逆變橋的特點(diǎn),常做成雙管模塊,甚至可以做成6管模塊。工作時狀態(tài)和普通晶體管一樣。泊頭市SANIL開關(guān)SBF-1,Amp,NPN,2m,
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由于電壓互感器內(nèi)阻抗很小,若二次回路短路時,會出現(xiàn)很大的電流,將損壞二次設(shè)備甚至危及人身。電壓互感器可以在二次側(cè)裝設(shè)熔斷器以保護(hù)其自身不因二次側(cè)短路而損壞。在可能的情況下,一次側(cè)也應(yīng)裝設(shè)熔斷器以保護(hù)高壓電網(wǎng)不因互感器高壓繞組或引線故障危及一次系統(tǒng)的。5.為了確保人在接觸測量儀表和繼電器時的,電壓互感器二次繞組必須有一點(diǎn)接地。因為接地后,當(dāng)一次和二次繞組間的絕緣損壞時,可以防止儀表和繼電器出現(xiàn)高電壓危及人身。電壓互感器副邊不容許短路。[8]異常與處理編輯常見異常(1)三相電壓指示不平衡:一相降低(可為零),另兩相正常,線電壓不正常,或伴有聲、光信號,可能是互感器高壓或低壓熔斷器熔斷[9];(2)中性點(diǎn)非有效接地系統(tǒng)。泊頭市SANIL開關(guān)SBF-1,Amp,NPN,2m,
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發(fā)展方向電力電子器件的基片已從Si(硅)變換為SiC(碳化硅),使電力電子新元件具有耐高壓、低功耗、耐高溫的優(yōu)點(diǎn);并制造出體積小、容量大的驅(qū)動裝置;磁鐵電動機(jī)也正在開發(fā)研制之中。隨著IT技術(shù)的迅速普及,變頻器相關(guān)技術(shù)發(fā)展迅速,未來主要向以下幾個方面發(fā)展:[10]網(wǎng)絡(luò)智能化智能化的變頻器使用時不必進(jìn)行很多參數(shù)設(shè)定,本身具備故障自診斷功能,具有高穩(wěn)定性、高可靠性及實用性。利用互聯(lián)網(wǎng)可以實現(xiàn)多臺變頻器聯(lián)動,甚至是以工廠為單位的變頻器綜合管理控制系統(tǒng)。[10]專門化和一體化變頻器的制造專門化,可以使變頻器在某一領(lǐng)域的性能更強(qiáng),如風(fēng)機(jī)、水泵用變頻器、電梯變頻器、起重機(jī)械變頻器、張力控制變頻器等。除此以外。泊頭市SANIL開關(guān)SBF-1,Amp,NPN,2m,
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也就是人們常說的普通晶閘可控硅可控硅管,它是由四層半導(dǎo)體材料組成的,有三個PN結(jié),對外有三個電極〔圖2(a)〕:層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A,第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2(b)〕可以看到,它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷,關(guān)鍵是多了一個控制極G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年,因為它的特性類似于真空閘流管,所以上通稱為硅晶體閘流管,簡稱晶閘管T,又因為晶閘管初的在靜止整流方面,所以又被稱之為硅可控整流元件,簡稱為可控硅SCR。在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦浴?img alt="泊頭市SANIL開關(guān)SBF-1,Amp,NPN,2m," src="http://myvip.jdzj.com/UserDocument/mallpic/lixun98/Picture/200225090406121.jpg" />
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