| 超結(jié)/功率mosfet lsd20n60 to-220mf場(chǎng)效應(yīng)管新品現(xiàn)貨 |
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價(jià)格： 元(人民幣) | 產(chǎn)地：本地 |
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| 上架時(shí)間：2019-05-06 22:38:18 | 瀏覽量：193 | |
深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司
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品牌驪創(chuàng) 型號(hào)lsd20n60 封裝to-262 批號(hào)18+ fet類型功率 漏源電壓（vdss）650 漏極電流(id)11 漏源導(dǎo)通電阻(rds on)2.9 柵源電壓(vgs)50 柵極電荷(qg)3.6 反向恢復(fù)時(shí)間2.95 最大耗散功率11mw 配置類型3 工作溫度范圍3 安裝類型1 應(yīng)用領(lǐng)域軍工/航天 展開 超結(jié)/功率mosfet lsd20n60 to-220mf場(chǎng)效應(yīng)管新品現(xiàn)貨 點(diǎn)我去除廣告 to-220mf super junction mosfet lonfe super junction mosfet lonfettm功率mosfet采用先進(jìn)的超級(jí)結(jié)技術(shù)制造，具有極低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，顯著降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，特別適合高功率密度和高效率應(yīng)用。具有極低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，顯著降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，能提高電源系統(tǒng)的密度和效率，并具有很高的性價(jià)比。 ttm功率mosfet采用先進(jìn)的超級(jí)結(jié)技術(shù)制造，具有極低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，顯著降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，特別適合高功率密度和高效率應(yīng)用。具有極低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，顯著降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，能提高電源系統(tǒng)的密度和效率，并具有很高的性價(jià)比。 技術(shù)特點(diǎn)： ?  更低的rds(on)xachip→ 更低的導(dǎo)通損耗；?更快的開關(guān)速度→更低的開關(guān)損耗； ?先進(jìn)的設(shè)計(jì)和制造工藝使得器件封裝尺寸進(jìn)一步減； ?基于超級(jí)結(jié)mosfet可以設(shè)計(jì)功率密度更高，效率更高和溫升更低的電源。 |
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