QORVO品牌氮化鎵產(chǎn)品選型書 |
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氮化鎵創(chuàng)新
Qorvo不斷提供最高性能和可靠性,以滿足客戶的需求。 采用高性能GaN 技術(shù)支持從DC到Ka波段的產(chǎn)品,Qorvo通過(guò)提供新產(chǎn)品繼續(xù)建立強(qiáng)大的GaAs傳統(tǒng) 和戰(zhàn)略代工服務(wù),努力滿足我們合作伙伴苛刻的系統(tǒng)要求。 有了Qorvo,你不僅得到了 世界一流的電氣性能,我們的合作伙伴也受益于具有業(yè)界領(lǐng)先的GaN可靠性的“值得信賴”的供應(yīng)商。 Qorvo也是 唯一一家達(dá)到制造準(zhǔn)備水平(MRL)的GaN供應(yīng)商9.尋找能夠?qū)⒛南敕◤母拍钷D(zhuǎn)變?yōu)楣⿷?yīng)商的供應(yīng)商 生產(chǎn)? Qorvo正在擴(kuò)大可能性。
GaN優(yōu)勢(shì)
Qorvo GaN為SWaP-C分析提供了改進(jìn)。 憑借出色的功率,效率和增益,系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在具有靈活性 進(jìn)行以前不可能的設(shè)計(jì)交易。 更高的功率密度導(dǎo)致更小的區(qū)域中更高的功率容量。減少 結(jié)合可以提高效率。 更高的電壓操作導(dǎo)致更低的系統(tǒng)損耗。 改進(jìn)的功率處理支持高 電源開關(guān)和高度可靠的LNA。 Qorvo在更高的結(jié)溫下具有領(lǐng)先的GaN可靠性,使用戶對(duì)此充滿信心 長(zhǎng)期運(yùn)作。 無(wú)論動(dòng)力是增加功率,減小電路板面積還是提高效率,Qorvo GaN都能實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo) 同時(shí)降低整體系統(tǒng)成本
關(guān)鍵Qorvo GaN屬性: 現(xiàn)場(chǎng)16900臺(tái)設(shè)備的設(shè)備小時(shí)數(shù)> 6500萬(wàn),小于 每百萬(wàn)小時(shí)0.013%的故障 高結(jié)溫時(shí)的可靠性,平均故障時(shí)間(MTTF) 200度(C)時(shí)大于10 7(1000萬(wàn))至10 9(10億)小時(shí) 225度(C)大于10 6(100萬(wàn))至10 8(1億)小時(shí) 通過(guò)Ka波段支持DC的生產(chǎn)技術(shù)
出色的噪音系數(shù) - 與pHEMT相當(dāng) 對(duì)ESD和RF輸入信號(hào)具有高度魯棒性 SiC基板,具有出色的熱管理性能 高功率密度(改進(jìn)的SWaP) 高功率附加效率(改進(jìn)的SWaP)
GaN鑄造工藝 作為經(jīng)國(guó)防部認(rèn)可的“微電子可信賴源”,Qorvo提供各種GaN技術(shù)以優(yōu)化解決方案。認(rèn)證 包括鑄造,后處理,包裝/組裝和測(cè)試服務(wù)。 我們的代工服務(wù)部門提供的支持 補(bǔ)充了Qorvo的高頻標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品組合。 Qorvo服務(wù)以滿足自定義要求為中心 混合產(chǎn)品和工藝解決方案。
QGaN25: 技術(shù):SiC上0.25μm的GaN 漏極偏置(Vd):高達(dá)40V 工作頻率:DC-18 GHz PAE:10 GHz時(shí)> 60% 功率密度:10 GHz時(shí)為6W / mm 可靠性:20℃時(shí)> 10M小時(shí) 和40V(3-temp DC MTTF w / failure 定義為Idmax降低10%)
QGaN25HV: 技術(shù):SiC上0.25μm的GaN 漏極偏壓(Vd):高達(dá)48V 工作頻率:DC-12 GHz PAE:3.5 GHz時(shí)> 78% 功率密度:3.5 GHz時(shí)6.5W / mm 可靠性:20℃時(shí)> 10M小時(shí) 和48V(3-temp DC MTTF w / failure 定義為Idmax降低10%)
QGaN15: 技術(shù):SiC上0.15μm的GaN 漏極偏壓(Vd):高達(dá)28V 工作頻率:DC-40 GHz PAE:30 GHz時(shí)> 50% 功率密度:30 GHz時(shí)4.2W / mm 可靠性:20℃時(shí)> 10M小時(shí) 28V(DC MTTF w /故障定義為 Idmax降低10%)
QGaN50: 技術(shù):SiC上0.50μm的GaN 漏極偏壓(Vd):高達(dá)65V 工作頻率:DC-8 GHz PAE:3.5 GHz時(shí)> 78% 功率密度:3.5 GHz時(shí)為9W / mm 可靠性:20℃時(shí)> 10M小時(shí) 65V(DC MTTF w /故障定義為 Idmax降低10%)
GaN封裝解決方案 Qorvo包裝解決方案專注于在管理散熱的同時(shí)化性能 行為和成本。 我們的高性能GaN產(chǎn)品可以在各種Cu-中找到 基于包裝的優(yōu)質(zhì)傳熱。 取決于功能和操作 條件方面,Qorvo提供螺栓固定封裝,適用于小型表面貼裝封裝 氣腔或包覆成型格式。
GaN標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品組合 Qorvo在高性能砷化鎵(GaAs)領(lǐng)域的成熟技術(shù)已經(jīng)擴(kuò)展到氮化鎵(GaN)。使用GaN Qorvo被證明是支持下一代和商業(yè)應(yīng)用的進(jìn)化技術(shù),正在引領(lǐng)潮流 各種頻率和功能的世界級(jí)產(chǎn)品。隨著基于GaN的放大器和開關(guān)的不斷增加的產(chǎn)品組合 憑借我們不斷擴(kuò)展的高性能晶體管產(chǎn)品系列,Qorvo成為滿足您GaN需求的首選解決方案供應(yīng)商。 Qorvo對(duì)工藝和產(chǎn)品進(jìn)行了廣泛的測(cè)試和分析,以提供最高的性能和可靠性 提供卓越的大批量生產(chǎn)能力。同樣重要的是測(cè)量和預(yù)測(cè)熱行為。 Qorvo模擬 使用有限元分析的FET通道溫度然后驗(yàn)證這些模型對(duì)抗FET的微拉曼測(cè)量 提供準(zhǔn)確的長(zhǎng)期壽命可靠性數(shù)據(jù)。
詳細(xì)產(chǎn)品如下
TGF2977-SM TGS2354-SM TGA2611-SM T2G6003028-FL/-FS TQP0102 TGS2355-SM TGA2227-SM QPD1004 TGF2965-SM TGS2352-2-SM TGA2612-SM TGF2955 TGF2952 TGS2353-2-SM TGA2627-SM T1G4004532-FL/-FS TGF2023-2-01 QPA2237 TGA2598-SM T2G4005528-FS QPD1010 TGA2237-SM TGA2590-CP TGF2023-2-10 QPD1011 TGA2976-SM QPA1013D TGF2956 T2G6000528-Q3 TGA2216-SM TGA2963-CP TGF2957 TGF3015-SM QPA1003P TGA3042-SM QPD1015/L T1G6001032-SM TGA2597-SM TGA2586-FL TGF2929-HM TGF2023-2-02 TGA2578-CP QPA1010 TGF2929-FL/-FS QPD1022 TGA2214-CP QPA1011 TGF2023-2-20 QPD1014 TGA2573-2 TGA2238-CP T1G4012036-FL/-FS QPD1014 TGA2576-2-FL TGM2635-CP TGF2819-FL/-FS TGF2953 TGA2975-SM TGA2624-SM QPD1008/L QPD1000 TGA2830-SM TGA2624-CP QPD1013 QPD1009 TGA2583-SM TGA2622-SM T1G4020036-FL/-FS T2G6001528-SG TGA2585-SM TGA2622-CP T1G2028536-FL/-FS T2G6001528-Q3 QPA1014 TGA2312-FL QPD1017 TGF2023-2-05 TGA2818-SM TGA2625-CP QPD1003 TGF2978-SM QPA1000 TGA2623-CP QPD1019 TQP0103 TGA2817-SM TGA2958-SM QPD1016 TGF3021-SM TGA2813-CP TGA2218-SM TGA2594-HM TGF3020-SM TGA2814-SM TGA2219-CP TGA2595-CP TGF2979-SM TGA2814-CP TGA2239-CP TGA2307-SM TGF2954 TGA2813-SM TGA4548-SM TGA2599-SM T2G4003532-FL/-FS TQP0104 |
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