陶瓷覆銅板 DBC |
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德國(guó)陶瓷基DBC覆銅板 ,陶瓷電路板,陶瓷金屬化線路板,厚膜電路板,薄膜電路板,覆銅陶瓷基板 陶瓷基復(fù)合材料,陶瓷基片,DBC陶瓷覆銅板,陶瓷覆銅板,大功率陶瓷覆銅板,LED陶瓷覆銅板 射頻陶瓷覆銅板,96%氧化鋁陶瓷基板 德國(guó)陶瓷基覆銅板 韓國(guó)陶瓷基覆銅板 日本陶瓷基覆銅板 陶瓷基線路板 陶瓷基電路板 陶瓷基覆銅板 陶瓷銅基板 陶瓷散熱基板 制冷(加熱)器件基板 儀器用制冷片的 出口級(jí)制冷片 臭氧發(fā)生器覆銅板
DCB是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝方法。所制成的超薄復(fù)合基板具有優(yōu)良電絕緣性能,高導(dǎo)熱特性,優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強(qiáng)度,并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形,具有很大的載流能力。因此,DCB基板已成為大功率電力電子電路結(jié)構(gòu)技術(shù)和互連技術(shù)的基礎(chǔ)材料,也是本世紀(jì)封裝技術(shù)發(fā)展方向“chip-on-board”技術(shù)的基礎(chǔ)。 DBC技術(shù)的優(yōu)越性 :實(shí)現(xiàn)金屬和陶瓷鍵合的方法有多種,在工業(yè)上廣泛應(yīng)用的有效合金化方法是厚膜法及鉬錳法。厚膜法是將貴重金屬的細(xì)粒通過(guò)壓接在一起而組成,再由熔融的玻璃粘附到陶瓷上,因此厚膜的導(dǎo)電性能比金屬銅差。鉬錳法雖使金屬層具有相對(duì)高的電導(dǎo),但金屬層的厚度往往很薄,小于25μm,這就限制了大功率模塊組件的耐浪涌能力。因此必須有一種金屬陶瓷鍵合的新方法來(lái)提高金屬層的導(dǎo)電性能和承受大電流的能力,減小金屬層與陶瓷間的接觸熱阻,且工藝不復(fù)雜。銅與陶瓷直接鍵合技術(shù)解決了以上問(wèn)題,并為電力電子器件的發(fā)展開(kāi)創(chuàng)了新趨勢(shì)。 1、 DBC應(yīng)用 ◇ 大功率電力半導(dǎo)體模塊;半導(dǎo)體致冷器、電子加熱器;功率控制電路,功率混合電路; ◇ 智能功率組件;高頻開(kāi)關(guān)電源,固態(tài)繼電器; ◇ 汽車(chē)電子,航天航空及軍用電子組件; ◇ 太陽(yáng)能電池板組件;電訊專(zhuān)用交換機(jī),接收系統(tǒng);激光等工業(yè)電子。 2、DBC特點(diǎn) □ 機(jī)械應(yīng)力強(qiáng),形狀穩(wěn)定;高強(qiáng)度、高導(dǎo)熱率、高絕緣性;結(jié)合力強(qiáng),防腐蝕; □ 極好的熱循環(huán)性能,循環(huán)次數(shù)達(dá)5萬(wàn)次,可靠性高; □ 與PCB板或IMS基片一樣可刻蝕出各種圖形的結(jié)構(gòu);無(wú)污染、無(wú)公害; □ 使用溫度寬-55℃~850℃;熱膨脹系數(shù)接近硅,簡(jiǎn)化功率模塊的生產(chǎn)工藝。 3、使用DBC優(yōu)越性 ○ DCB的熱膨脹系數(shù)接近硅芯片,可節(jié)省過(guò)渡層Mo片,省工、節(jié)材、降低成本; ○ 減少焊層,降低熱阻,減少空洞,提高成品率; ○ 在相同載流量下 0.3mm厚的銅箔線寬僅為普通印刷電路板的10%; ○ 優(yōu)良的導(dǎo)熱性,使芯片的封裝非常緊湊,從而使功率密度大大提高,改善系統(tǒng)和裝置的可靠性; ○ 超薄型0.25mmDCB板可替代BeO,無(wú)環(huán)保毒性問(wèn)題; ○ 載流量大,100A電流連續(xù)通過(guò)1mm寬0.3mm厚銅體,溫升約17℃;100A電流連續(xù)通過(guò)2mm寬0.3mm厚銅體,溫升僅5℃左右; ○ 熱阻低,10×10mmDCB板的熱阻: 0.63mm厚度陶瓷基片DCB的熱阻為0.31K/W 0.38mm厚度陶瓷基片DCB的熱阻為0.19K/W 0.25mm厚度陶瓷基片DCB的熱阻為0.14K/W ○ 絕緣耐壓高,保障人身安全和設(shè)備的防護(hù)能力; ○ 可以實(shí)現(xiàn)新的封裝和組裝方法,使產(chǎn)品高度集成,體積縮小。
本公司亦能承制用戶特殊要求的規(guī)格,公司擁有先進(jìn)的高溫鍵合、激光切割等精密生產(chǎn)設(shè)備,精良的工藝,完備檢測(cè)設(shè)備,嚴(yán)格的質(zhì)量控制,使銅圖形線條寬度最小為1.2±0.2mm,銅圖形線間的距離最小達(dá)0.7±0.2mm,而銅圖形線與陶瓷板邊緣的最小間距為0.5mm。
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