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銷售產(chǎn)品：進(jìn)口DCS、PLC控制系統(tǒng)備品備件和大型進(jìn)口系統(tǒng)模塊備件公司

1.Allen-Bradley(美國AB)系列產(chǎn)品》

2.Schneider(施耐德電氣)系列產(chǎn)品》

3.General electric(通用電氣)系列產(chǎn)品》

4.Westinghouse（美國西屋）系列產(chǎn)品》

5.SIEMENS(西門子系列產(chǎn)品)》

6.銷售ABB Robots. FANUC Robots、YASKAWA Robots、KUKA Robots、Mitsubishi Robots、OTC Robots、Panasonic、Robots、MOTOMAN Robots。

7.estinghouse（西屋）： OVATION系統(tǒng)、WDPF系統(tǒng)、MAX1000系統(tǒng)備件。

8.Invensys Foxboro（�？怂共_）：I/A Series系統(tǒng)，F(xiàn)BM（現(xiàn)場輸入/輸出模塊）順序控制、梯形邏輯控制、事故追憶處理、數(shù)模轉(zhuǎn)換、輸入/輸出信號處理、數(shù)據(jù)通信及處理等。Invensys Triconex: 冗余容錯控制系統(tǒng)、基于三重模件冗余（TMR）結(jié)構(gòu)的zui現(xiàn)代化的容錯控制器。

9.Siemens(西門子)：Siemens MOORE， Siemens Simatic C1，Siemens數(shù)控系統(tǒng)等。

10.Bosch Rexroth（博世力士樂）：Indramat，I/O模塊,PLC控制器,驅(qū)動模塊等。

◆Motorola（摩托羅拉）：MVME 162、MVME 167、MVME1772、MVME177等系列。采購美國、德國、法國、意大利等歐盟工控產(chǎn)品、備品備件

公司服務(wù)宗旨：為客戶創(chuàng)造利益，創(chuàng)造價值，滿意是我 們服務(wù)的宗旨，您的信賴是我們永遠(yuǎn)的追求！

1. MCT （MOS Control led Thyristor）：MOS控制晶閘管MCT 是一種新型MOS 與雙極復(fù)合型器件。如上圖所示。MCT是將 MOSFET 的高阻抗、低驅(qū)動圖 MCT 的功率、快開關(guān)速度的特性與晶閘管的高壓、大電流特型結(jié)合在一起，形成大功率、高壓、快速全控型器件。實質(zhì)上MCT 是一個MOS 門極控制的晶閘管。它可在門極上加一窄脈沖使其導(dǎo)通或關(guān)斷，它由無數(shù)單胞并聯(lián)而成。它與GTR，MOSFET，IGBT，GTO等器件相比，有如下優(yōu)點：（1）電壓高、電流容量大，阻斷電壓已達(dá)3000V，峰值電流達(dá)1000A， 可關(guān)斷電流密度為6000kA/m2；（2）通態(tài)壓降小、損耗小，通態(tài)壓降約為11V；（3）極高的dv/dt和di/dt耐量，dv/dt已達(dá)2kV/s ，di/dt為2kA/s；（4）開關(guān)速度快， 開關(guān)損耗小，開通時間約200ns，1000V 器件可在2s 內(nèi)關(guān)斷；2. IGCT（Intergrated Gate Commutated Thyristors）IGCT是在晶閘管技術(shù)的基礎(chǔ)上結(jié)合IGBT和GTO等技術(shù)開發(fā)的新型器件，適用于高壓大容量變頻系統(tǒng)中，是一種用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導(dǎo)體器件。IGCT是將GTO芯片與反并聯(lián)二極管和門極驅(qū)動電路集成在一起，再與其門極驅(qū)動器在外圍以低電感方式連接，結(jié)合了晶體管的穩(wěn)定關(guān)斷能力和晶閘管低通態(tài)損耗的優(yōu)點。在導(dǎo)通階段發(fā)揮晶閘管的性能，關(guān)斷階段呈現(xiàn)晶體管的特性。IGCT芯片在不串不并的情況下，二電平逆變器功率0.5~3MW，三電平逆變器1~6MW；若反向二極管分離，不與IGCT集成在一起，二電平逆變器功率可擴(kuò)至4/5MW，三電平擴(kuò)至9MW。目前，IGCT已經(jīng)商品化， ABB公司制造的IGCT產(chǎn)品的 性能參數(shù)為4［1］5kV/4kA ， 研制水平為6 kV/ 4 kA。1998 年，日本三菱公司也開發(fā)了直徑為88mm的GCT的晶閘管IGCT損耗低、開關(guān)快速等優(yōu)點保證了它能可靠、率地用于300kW~ 10MW變流器，而不需要串聯(lián)和并聯(lián)。

3. IEGT（ Injection Enhanced Gate Transistor） 電子注入增強(qiáng)柵晶體管IEGT是耐壓達(dá)4kV以上的IGBT系列電力電子器件，通過采取增強(qiáng)注入的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了低通態(tài)電壓，使大容量電力電子器件取得了飛躍性的發(fā)展。IEGT 具有作為MOS 系列電力電子器件的潛在發(fā)展前景，具有低損耗、高速動作、高耐壓、有源柵驅(qū)動智能化等特點，以及采用溝槽結(jié)構(gòu)和多芯片并聯(lián)而自均流的特性，使其在進(jìn)一步擴(kuò)大電流容量方面頗具潛力。另外，通過模塊封裝方式還可提供眾多派生產(chǎn)品，在大、中容量變換器應(yīng)用中被寄予厚望。日本東芝開發(fā)的 IECT 利用了電子注入增強(qiáng).效應(yīng)，使之兼有IGBT和GTO 兩者的優(yōu)點：低飽和壓降，安全工作區(qū)（吸收回路容量僅為 GTO 的十分之一左右），低柵極驅(qū)動功率（比 GTO低兩個數(shù)量級）和較高的工作頻率。器件采用平板壓接式電機(jī)引出結(jié)構(gòu)，可靠性高，性能已經(jīng)達(dá)到4.5 kV/ 1500A 的水平。

優(yōu)勢供應(yīng)，充足庫存