| N型碳化硅襯底晶片廠家 導(dǎo)電型4英寸碳化硅晶體工廠 |
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價(jià)格： 元(人民幣) | 產(chǎn)地：本地 |
| 最少起訂量：1毫米 | 發(fā)貨地：江蘇蘇州市 | |
| 上架時(shí)間：2022-11-11 11:54:10 | 瀏覽量：276 | |
蘇州恒邁瑞材料科技有限公司
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| 經(jīng)營模式：生產(chǎn)加工 | 公司類型：私營有限責(zé)任公司 | |
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N型碳化硅襯底晶片廠家 導(dǎo)電型4英寸碳化硅晶體工廠
蘇州恒邁瑞材料科技主要生產(chǎn)供應(yīng)4英寸、6英寸4H-N型導(dǎo)電碳化硅襯底片和4H半絕緣碳化硅襯底片，所生產(chǎn)的碳化硅襯底片產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于以新能源汽車、高速軌道交通、超高壓智能電網(wǎng)為代表的功率電子應(yīng)用領(lǐng)域和以5G通信、航空航天通信、相控陣?yán)走_(dá)等為代表的高頻射頻應(yīng)用領(lǐng)域。
以碳化硅為襯底的氮化鎵射頻器件以其良好導(dǎo)熱性和大功率輸出的優(yōu)勢，成為5G基站功率放大器的主流選擇。5G具有大容量、低時(shí)延、低功耗、高可靠性等特點(diǎn)，要求射頻器件擁有更高的線性和更高的效率。相比砷化鎵和硅基LDMOS射頻器件，以碳化硅為襯底的氮化鎵射頻器件同時(shí)具有碳化硅良好的導(dǎo)熱性能和氮化鎵在高頻段下大功率射頻輸出的優(yōu)勢，能夠提供高頻電信網(wǎng)絡(luò)所需要的功率和效能，成為5G基站功率放大器的主流選擇。
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