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D mode HEMT硅基氮化鎵外延片生產(chǎn)商 4英寸

蘇州恒邁瑞材料科技作為氮化鎵外延片廠家，可提供4英寸-8英寸硅基氮化鎵外延片定制，用于電子電力HEMT及RF射頻高電子遷移率晶體管。GaN on Si氮化鎵外延片可分為D MODE結(jié)構(gòu)E MODE結(jié)構(gòu)和RF結(jié)構(gòu)。除此之外我司還提供碳化硅基氮化鎵外延片及藍(lán)寶石基氮化鎵外延片，LED氮化鎵外延片定制生產(chǎn)，詳細(xì)需求請聯(lián)系我司。

第三代半導(dǎo)體材料GaN由于具有眾多優(yōu)異的物理特性，非常適合制備高溫、高頻、大功率電子器件，具有很好的應(yīng)用前景。由于缺乏優(yōu)質(zhì)的GaN同質(zhì)襯底，而硅基氮化鎵襯底具備尺寸大、高性價比等優(yōu)點，使得其成為適合商用GaN功率器件生長的理想襯底。目前，采用Si硅上生長GaN氮化鎵材料這一技術(shù)路線制備功率電子器件，已經(jīng)成為業(yè)界的共識。蘇州恒邁瑞材料科技供應(yīng)的2英寸到8英寸的硅基氮化鎵外延片能夠滿足650V功率器件的要求。