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云南硅碳負(fù)極材料
云南硅碳負(fù)極材料 價(jià)格:850000  元(人民幣) 產(chǎn)地:云南
最少起訂量:1 發(fā)貨地:昆明
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云南南漿建筑材料有限公司  
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詳細(xì)介紹

1.本發(fā)明屬于鋰離子電池領(lǐng)域,涉及一種負(fù)極材料,尤其涉及一種硅碳負(fù)極材料及其制備方法與應(yīng)用。


背景技術(shù):

2.硅負(fù)極材料因其具有較高的理論比容量(>3000mah/g),以及較低的反應(yīng)電位(<0.4v),而被應(yīng)用于高能量密度的動(dòng)力電池體系。然而,由于硅鋰化后,會(huì)發(fā)生嚴(yán)重的體積膨脹(約400%),使材料極易粉化脫落,因此,硅基負(fù)極的循環(huán)穩(wěn)定性較差。
3.目前廣泛研究的硅碳復(fù)合負(fù)極材料,雖然能有效緩解硅的體積膨脹問題,但是由于硅與碳材料在熱力學(xué)上親和性差,因此碳包覆的效果不佳,長(zhǎng)期循環(huán)后,負(fù)極材料依然存在粉化脫落的問題。同時(shí),包覆致密的硅碳負(fù)極材料,工藝流程復(fù)雜且合成時(shí)間長(zhǎng)。
4.基于以上研究,如何提供一種硅碳負(fù)極材料的制備方法,所述制備方法能簡(jiǎn)便并快捷地合成出碳包覆致密的硅碳負(fù)極材料,成為了目前迫切需要解決的問題。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

5.本發(fā)明的目的在于提供一種硅碳負(fù)極材料及其制備方法與應(yīng)用,能通過簡(jiǎn)易的制備方法合成包覆致密的硅碳負(fù)極材料,并且硅在石墨中的插入深度更深,保護(hù)作用更好,能提升硅碳負(fù)極材料的比容量以及循環(huán)穩(wěn)定性。
6.為達(dá)到此發(fā)明目的,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
7.第一方面,本發(fā)明提供了一種硅碳負(fù)極材料的制備方法,所述制備方法包括:
8.燒結(jié)硅合金與石墨的混合料,洗滌,得到所述硅碳負(fù)極材料;
9.所述硅合金包括鉀硅合金和/或鋰硅合金。
10.本發(fā)明通過硅合金與石墨燒結(jié),利用金屬與石墨的插層反應(yīng),將硅帶入到石墨的片層中,之后再通過洗滌的方式去除多余的金屬,從而形成結(jié)合致密的硅碳負(fù)極材料,相較于物理混合的硅碳負(fù)極材料,本發(fā)明所述硅碳負(fù)極材料,硅在石墨中的插入深度更深,保護(hù)作用更好。
11.優(yōu)選地,所述硅合金包括鉀硅合金。
12.本發(fā)明所述鉀硅合金在洗滌過程中,鉀更易被洗滌掉,從而得到純度高的硅碳負(fù)極材料,而未完全洗去的鉀,以k4si
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的形式殘留在硅碳負(fù)極材料中,用以穩(wěn)定硅碳的結(jié)構(gòu),強(qiáng)化硅與石墨的結(jié)合力,來(lái)提高硅碳負(fù)極材料的穩(wěn)定性。
13.優(yōu)選地,所述硅合金與石墨的質(zhì)量比為(0.6至2):1,例如可以是0.6:1、0.8:1、1:1、1.2:1、1.4:1、1.6:1、1.8:1或2:1,但不限于所列舉的數(shù)值,數(shù)值范圍內(nèi)其它未列舉的數(shù)值同樣適用。
14.優(yōu)選地,所述硅合金采用如下方法得到:
15.混合硅與金屬,煅燒后得到所述硅合金;
16.所述金屬包括鉀和/或鋰。
17.優(yōu)選地,所述金屬與硅的摩爾比為(1.005至1.05):1,例如可以是1.005:1、1.007:1、1.009:1、1.01:1、1.03:1或1.05:1,但不限于所列舉的數(shù)值,數(shù)值范圍內(nèi)其它未列舉的數(shù)值同樣適用。
18.優(yōu)選地,所述煅燒的溫度為600℃至850℃,時(shí)間為3h至10h。
19.所述煅燒的溫度為600℃至850℃,例如可以是600℃、700℃、750℃、800℃或850℃,但不限于所列舉的數(shù)值,數(shù)值范圍內(nèi)其它未列舉的數(shù)值同樣適用。
20.所述煅燒的時(shí)間為3h至10h,例如可以是3h、4h、5h、6h、7h、8h、9h或10h,但不限于所列舉的數(shù)值,數(shù)值范圍內(nèi)其它未列舉的數(shù)值同樣適用。
21.所述混合為研磨混合10min至20min,例如可以是10min、15min或20min,但不限于所列舉的數(shù)值,數(shù)值范圍內(nèi)其它未列舉的數(shù)值同樣適用。
22.優(yōu)選地,所述洗滌的溶劑包括去離子水和/或無(wú)水乙醇。
23.優(yōu)選地,所述洗滌的固液比為(1至7):20,例如可以是1:20、3:20、5:20或7:20,但不限于所列舉的數(shù)值,數(shù)值范圍內(nèi)其它未列舉的數(shù)值同樣適用。
24.本發(fā)明所述固液比為固液質(zhì)量比,即燒結(jié)后的混合料與溶劑的質(zhì)量比。
25.優(yōu)選地,所述制備方法還包括洗滌后的過濾和烘干。
26.優(yōu)選地,所述燒結(jié)的溫度為400℃至650℃,時(shí)間為12h至36h。
27.優(yōu)選地,所述燒結(jié)硅合金與石墨前,進(jìn)行研磨混合10min至20min,例如可以是10min、15min或20min,但不限于所列舉的數(shù)值,數(shù)值范圍內(nèi)其它未列舉的數(shù)值同樣適用。
28.作為本發(fā)明制備方法的優(yōu)選技術(shù)方案,所述制備方法包括如下步驟:
29.混合質(zhì)量比為(0.6至2):1的硅合金與石墨,所得混合料400℃至650℃燒結(jié)12h至36h,以(1至7):20的固液比洗滌后,得到所述硅碳負(fù)極材料;
30.所述硅合金采用如下方法得到:研磨混合摩爾比為(1.005至1.05):1的金屬與硅10min至20min,600℃至850℃煅燒3h至10h后,得到所述硅合金;
31.所述金屬包括鉀和/或鋰。
32.第二方面,本發(fā)明提供了一種硅碳負(fù)極材料,所述硅碳負(fù)極材料采用如第一方面所述的制備方法得到,所述硅碳負(fù)極材料中,硅在石墨片層中的插入深度為1μm至2.5μm,例如可以是1μm、1.2μm、1.4μm、1.6μm、1.8μm、2.0μm、2.2μm、2.4μm或2.5μm,但不限于所列舉的數(shù)值,數(shù)值范圍內(nèi)其它未列舉的數(shù)值同樣適用。
33.優(yōu)選地,所述硅碳負(fù)極材料中,硅的含量為20wt%至46wt%,例如可以是20wt%、25wt%、30wt%、35wt%、40wt%或46wt%,但不限于所列舉的數(shù)值,數(shù)值范圍內(nèi)其它未列舉的數(shù)值同樣適用。
34.本發(fā)明所述硅碳負(fù)極材料中,硅在石墨層中具有更深的插入深度,高達(dá)1μm至2.5μm,而通過簡(jiǎn)單物理混合得到的硅碳負(fù)極材料的插入深度在0.2μm以下,因此,本發(fā)明所述硅碳負(fù)極材料,硅與碳的結(jié)合更加致密,其比容量以及循環(huán)穩(wěn)定性更高。
35.第三方面,本發(fā)明提供了一種鋰離子電池,所述鋰離子電池包括如第二方面所述的硅碳負(fù)極材料。
36.相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明具有以下有益效果:
37.本發(fā)明采用硅合金與石墨燒結(jié),利用金屬與石墨的插層反應(yīng),將硅帶入到石墨的片層中,之后再通過洗滌的方式去除多余的金屬,從而形成結(jié)合致密的硅碳負(fù)極材料;本發(fā)
明所述硅碳負(fù)極材料,硅在石墨層中的插入深度更深,高達(dá)1μm至2.5μm,保護(hù)作用更好,而通過簡(jiǎn)單物理混合得到的硅碳負(fù)極材料的插入深度在0.2μm以下;因此,本發(fā)明所述硅碳負(fù)極材料,硅與碳的結(jié)合更加致密,其比容量以及循環(huán)穩(wěn)定性更高。
附圖說明
38.圖1是實(shí)施例1所述硅碳負(fù)極材料的x射線衍射譜圖。
39.圖2是實(shí)施例1所述硅碳負(fù)極材料的掃描電鏡圖。
具體實(shí)施方式
40.下面通過具體實(shí)施方式來(lái)進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明了,所述實(shí)施例僅僅是幫助理解本發(fā)明,不應(yīng)視為對(duì)本發(fā)明的具體限制。
41.實(shí)施例1
42.本實(shí)施例提供了一種硅碳負(fù)極材料的制備方法,所述硅碳負(fù)極材料中,硅在石墨片層中的插入深度為1.7μm,硅的含量為37wt%;
43.所述硅碳負(fù)極材料的制備方法包括:
44.研磨混合質(zhì)量比為1.4:1的鉀硅合金與石墨15min,所得混合料550℃燒結(jié)24h,采用去離子水以200r/min的轉(zhuǎn)速洗滌20min,過濾和烘干后,得到所述硅碳負(fù)極材料;
45.所述洗滌的固液比為5:20;
46.所述鉀硅合金采用如下方法得到:研磨混合摩爾比為1.03:1的鉀與硅15min,750℃煅燒6h后,得到所述鉀硅合金;
47.本實(shí)施例所述硅碳負(fù)極材料的x射線衍射譜圖如圖1所示,掃描電鏡圖如圖2所示。
48.實(shí)施例2
49.本實(shí)施例提供了一種硅碳負(fù)極材料的制備方法,所述硅碳負(fù)極材料中,硅在石墨片層中的插入深度為1μm,硅的含量為46wt%;
50.所述硅碳負(fù)極材料的制備方法包括:
51.研磨混合質(zhì)量比為2:1的鉀硅合金與石墨20min,所得混合料400℃燒結(jié)36h,采用去離子水以200r/min的轉(zhuǎn)速洗滌20min,過濾和烘干后,得到所述硅碳負(fù)極材料;
52.所述洗滌的固液比為7:20;
53.所述鉀硅合金采用如下方法得到:研磨混合摩爾比為1.005:1的鉀與硅10min,850℃煅燒3h后,得到所述鉀硅合金。
54.實(shí)施例3
55.本實(shí)施例提供了一種硅碳負(fù)極材料的制備方法,所述硅碳負(fù)極材料中,硅在石墨片層中的插入深度為2.5μm,硅的含量為20wt%;
56.所述硅碳負(fù)極材料的制備方法包括:
57.研磨混合質(zhì)量比為0.6:1的鉀硅合金與石墨10min,所得混合料650℃燒結(jié)12h,采用無(wú)水乙醇以200r/min的轉(zhuǎn)速洗滌20min,過濾和烘干后,得到所述硅碳負(fù)極材料;
58.所述洗滌的固液比為1:20;
59.所述鉀硅合金采用如下方法得到:研磨混合摩爾比為1.05:1的鉀與硅20min,600℃煅燒10h后,得到所述鉀硅合金;
60.實(shí)施例4
61.本實(shí)施例提供了一種硅碳負(fù)極材料的制備方法,所述硅碳負(fù)極材料中,硅在石墨片層中的插入深度為1.7μm,硅的含量為37wt%;
62.所述硅碳負(fù)極材料的制備方法包括:
63.研磨混合質(zhì)量比為1.4:1的鋰硅合金與石墨15min,所得混合料550℃燒結(jié)24h,采用去離子水以200r/min的轉(zhuǎn)速洗滌20min,過濾和烘干后,得到所述硅碳負(fù)極材料;
64.所述洗滌的固液比為5:20;
65.所述鋰硅合金采用如下方法得到:研磨混合摩爾比為1.03:1的鋰與硅15min,750℃煅燒6h后,得到所述鋰硅合金。
66.實(shí)施例5和實(shí)施例6提供的硅碳負(fù)極材料的制備方法,除表2中鉀硅合金與石墨的質(zhì)量比變化外,其余均與實(shí)施例1相同。
67.實(shí)施例7和實(shí)施例8提供的硅碳負(fù)極材料的制備方法,除表3中鉀與硅的摩爾比變化外,其余均與實(shí)施例1相同。
68.實(shí)施例9和實(shí)施例10提供的硅碳負(fù)極材料的制備方法,除表4中洗滌的固液比變化外,其余均與實(shí)施例1相同。
69.對(duì)比例1提供的硅碳負(fù)極材料的制備方法,除表5中原料變化外,其余均與實(shí)施例1相同。
70.對(duì)比例2提供的硅碳負(fù)極材料的制備方法,除表6所示未進(jìn)行洗滌外,其余均與實(shí)施例1相同。
71.以96.5:1:0.5:40:2的質(zhì)量比混合實(shí)施例和對(duì)比例提供的硅碳負(fù)極材料、super p(導(dǎo)電炭黑)、cnt(導(dǎo)電碳管)、nmp(氮甲基烷酮溶劑)和pvdf(聚偏氟乙烯)得漿料,將漿料利用刮涂在鋁箔上,在120℃下干燥20min,再經(jīng)輥壓和裁切后得到負(fù)極;以鋰片為對(duì)電極,按照鋰離子電池的一般制備工藝組裝成扣式電池,測(cè)試其放電容量、庫(kù)倫效率和200周充電容量保持率。
72.放電測(cè)試方法:將電池以0.33c的電流密度放電至0.005v,其中1c=3000ma/g,得到的放電克容量即為放電容量q1;將電池以0.33c的電流密度充電至1.5v,得到的充電克容量q2除以q1,得到庫(kù)倫效率。
73.循環(huán)測(cè)試方法:將電池以0.5c的電流密度放電至0.005v,再以0.33c的電流密度充電至1.5v,重復(fù)200周,第200周的充電容量除以第1周的充電容量,即為200周充電容量保持率。
74.測(cè)試結(jié)果如表1至表5所示:
75.表1
76.[0077][0078]
表2
[0079][0080]
表3
[0081][0082]
表4
[0083][0084][0085]
表5
[0086][0087]
表6
[0088][0089]
從表1至表6可以看出以下幾點(diǎn):
[0090]
(1)由實(shí)施例1與對(duì)比例1可知,對(duì)比例1通過簡(jiǎn)單的物理混合制備硅碳負(fù)極材料,得到的硅碳負(fù)極材料的碳包覆的致密性低,極易粉化脫落,克容量的發(fā)揮較低,相較于實(shí)施例1,其綜合性能下降;由此可知,本發(fā)明采用硅合金為原料,利用硅合金中的金屬與石墨的插層反應(yīng),將硅帶入到石墨的片層中,再通過洗滌的方式去除多余的金屬,從而形成結(jié)合致密的硅碳負(fù)極材料,得到的硅碳負(fù)極材料,硅在石墨中的插入的深度更深,具有更高的比容量以及循環(huán)穩(wěn)定性。
[0091]
(2)由實(shí)施例1與對(duì)比例2可知,對(duì)比例2制備硅碳負(fù)極材料過程中,燒結(jié)后未進(jìn)行洗滌去除鉀金屬,降低了硅碳負(fù)極材料的克容量發(fā)揮,相較于實(shí)施例1,其綜合性能下降;由此可知,利用金屬將硅帶入到石墨的片層后,要通過洗滌的方式去除多余的金屬,從而形成結(jié)合致密的硅碳負(fù)極材料,保證了硅碳負(fù)極材料的克容量發(fā)揮。
[0092]
綜上所述,本發(fā)明提供了一種硅碳負(fù)極材料及其制備方法與應(yīng)用,所述制備方法包括:燒結(jié)硅合金與石墨的混合料,洗滌,得到所述硅碳負(fù)極材料;所述硅合金包括鉀硅合金和/或鋰硅合金。本發(fā)明采用簡(jiǎn)易方法得到的硅碳負(fù)極材料,硅在石墨中的插入的深度達(dá)到1μm至2.5μm,致密性更高,并且具有更高的比容量以及循環(huán)穩(wěn)定性。
[0093]
以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式,但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此,所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明了,任何屬于本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi),可輕易想到的變化或替換,均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍和公開范圍之內(nèi)。

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