infineon英飛凌IGBT模塊FF300R12KS4 原裝正品 |
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價(jià)格:530 元(人民幣) | 產(chǎn)地:Germany |
最少起訂量:1個(gè) | 發(fā)貨地:江蘇省蘇州 | |
上架時(shí)間:2023-09-27 15:59:53 | 瀏覽量:125 | |
昂斯慕新能源
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經(jīng)營(yíng)模式:經(jīng)銷商 | 公司類型:個(gè)體工商戶 | |
所屬行業(yè):電力半導(dǎo)體器件 | 主要客戶: | |
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聯(lián)系人:班榮榮 (小姐) | 手機(jī):18914968761 |
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企 業(yè) 介 紹 江蘇昂斯慕新能源科技有限公司專業(yè)致力于電力半導(dǎo)體器件的研發(fā)及供應(yīng)商。經(jīng)過(guò)多年的創(chuàng)新拼搏與眾多廠商、投資商強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,現(xiàn)企業(yè)已發(fā)展成為集產(chǎn)品研發(fā)、商貿(mào)、投資及網(wǎng)絡(luò)銷售于一體的綜合型企業(yè),希望同廣大客戶們一道努力,致力于電力電子技術(shù)產(chǎn)品的發(fā)展和進(jìn)步!公司主要銷售品牌有: 英飛凌(infineon),歐派克(EUPEC),西門(mén)康(SEMIKRON),三菱(MITSUBISHI),富士(FUJI), 東芝(TOSHIBA),艾賽斯(IXYS), 西班牙 (CATELEC)三社,三墾,摩托羅拉,英達(dá),日立,仙童, IR,ABB,PRX,POWER,TYCO等公司生產(chǎn)的IGBT,IPM,PIM,GTR,可控硅,快恢復(fù)二級(jí)管,整流橋;高頻無(wú)感電容,進(jìn)口快速熔斷器 ,各種進(jìn)口品牌驅(qū)動(dòng)電路、三菱IPM、光耦;VICOR、LAMBDA公司生產(chǎn)的AC/DC、DC/DC電源模塊。公司成立多年以來(lái)一直抱著誠(chéng)信,互惠的原則,在同行業(yè)中我們以品種全、現(xiàn)貨庫(kù)存量大,質(zhì)量?jī)?yōu)、信用好而享譽(yù)市場(chǎng)。歡迎各地經(jīng)銷商、廠商前來(lái)垂詢!
IGBT的作用 IGBT是一種功率晶體管,運(yùn)用此種晶體設(shè)計(jì)的UPS,早已成為電源的核心器件,可有效提升產(chǎn)品效能,具有易于驅(qū)動(dòng),控制簡(jiǎn)單,開(kāi)關(guān)頻率高,電源品質(zhì)好、效率高、噪音低、體積小與產(chǎn)品壽命長(zhǎng)等多種優(yōu)點(diǎn)。同時(shí)又具備導(dǎo)通電壓低,通態(tài)電流大,損耗小等技術(shù)優(yōu)勢(shì)。 IGBT主要用于軌道交通、航空航天、新能源、智能電網(wǎng)、智能家電高壓變頻器等領(lǐng)域。用于變頻器逆變和其他逆變電路時(shí)將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電。它有陰極,陽(yáng)極,和控制極。關(guān)斷的時(shí)候其阻抗是非常大的基本是斷路,接通的時(shí)候存在很小的電阻,通過(guò)接通或斷開(kāi)控制極來(lái)控制陰極和陽(yáng)極之間的接通和關(guān)斷。 IGBT選型四個(gè)基本要求 1、安全工作區(qū) 在安全上面,主要指的就是電的特性,除了常規(guī)的變壓電流以外,還有RBSOA(反向偏置安全工作區(qū))和短路時(shí)候的保護(hù)。這個(gè)是開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)候的波形,這個(gè)是相關(guān)的開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)候的定義。我們做設(shè)計(jì)時(shí)結(jié)溫的要求,比如長(zhǎng)期工作必須保證溫度在安全結(jié)溫之內(nèi),做到這個(gè)保證的前提是需要把這個(gè)模塊相關(guān)的應(yīng)用參數(shù)提供出來(lái)。這樣結(jié)合這個(gè)參數(shù)以后,結(jié)合選擇的IGBT的芯片,還有封裝和電流,來(lái)計(jì)算產(chǎn)品的功耗和結(jié)溫,是否滿足安全結(jié)溫的需求。 2、熱限制 熱限制就是我們脈沖功率,時(shí)間比較短,它可能不是一個(gè)長(zhǎng)期的工作點(diǎn),可能突然增加,這個(gè)時(shí)候就涉及到另外一個(gè)指標(biāo),動(dòng)態(tài)熱阻,我們叫做熱阻抗。這個(gè)波動(dòng)量會(huì)直接影響到IGBT的可靠性,就是壽命問(wèn)題。你可以看到50赫茲波動(dòng)量非常小,這個(gè)壽命才長(zhǎng)。 3、封裝要求 封裝要求主要體現(xiàn)在外部封裝材料上面,在結(jié)構(gòu)上面,其實(shí)也會(huì)和封裝相關(guān),因?yàn)樵O(shè)計(jì)的時(shí)候會(huì)布局和結(jié)構(gòu)的問(wèn)題,不同的設(shè)計(jì)它的差異性很大。 4、可靠性要求 可靠性問(wèn)題,剛才說(shuō)到結(jié)溫波動(dòng),其中最擔(dān)心就是結(jié)溫波動(dòng)以后,會(huì)影響到這個(gè)綁定線和硅片之間的焊接,時(shí)間久了,這兩種材料本身之間的熱抗系數(shù)都有差異,所以在結(jié)溫波動(dòng)情況下,長(zhǎng)時(shí)間下來(lái),如果工藝不好的話,就會(huì)出現(xiàn)裂痕甚至斷裂,這樣就會(huì)影響保護(hù)壓降,進(jìn)一步導(dǎo)致ICBT失效。第二個(gè)就是熱循環(huán),主要體現(xiàn)在硅片和DCB這個(gè)材料之間,他們之間的差異性。如果失效了以后,就分層了,材料與材料之間特性不一樣,就變成這樣情況的東西,這個(gè)失效很明顯。 IGBT如何選型 1、IGBT額定電壓的選擇 三相380V輸入電壓經(jīng)過(guò)整流和濾波后,直流母線電壓的最大值:在開(kāi)關(guān)工作的條件下,IGBT的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍,根據(jù) IGBT規(guī)格的電壓等級(jí),選擇1200V電壓等級(jí)的IGBT。 2、IGBT額定電流的選擇 以30kW變頻器為例,負(fù)載電流約為79A,由于負(fù)載電氣啟動(dòng)或加速時(shí),電流過(guò)載,一般要求1分鐘的時(shí)間內(nèi),承受1.5倍的過(guò)流,擇最大負(fù)載電流約為119A,建議選擇150A電流等級(jí)的IGBT。 3、IGBT開(kāi)關(guān)參數(shù)的選擇 變頻器的開(kāi)關(guān)頻率一般小于10kHZ,而在實(shí)際工作的過(guò)程中,IGBT的通態(tài)損耗所占比重比較大,建議選擇低通態(tài)型IGBT。 影響IGBT可靠性因素 1)柵電壓 IGBT工作時(shí),必須有正向柵電壓,常用的柵驅(qū)動(dòng)電壓值為15~187,用到20V,而棚電壓與柵極電阻Rg有很大關(guān)系,在設(shè)計(jì)IGBT驅(qū)動(dòng)電路時(shí),參考IGBTDatasheet中的額定Rg值,設(shè)計(jì)合適驅(qū)動(dòng)參數(shù),保證合理正向柵電壓。因?yàn)?/span>IGBT的工作狀態(tài)與正向棚電壓有很大關(guān)系,正向柵電壓越高,開(kāi)通損耗越小,正向壓降也越小。 2)Miller效應(yīng) 為了降低Miller效應(yīng)的影響,在IGBT柵驅(qū)動(dòng)電路中采用改進(jìn)措施:(1)開(kāi)通和關(guān)斷采用不同柵電阻 Rg,ON和Rg,off,確保IGBT的有效開(kāi)通和關(guān)斷;(2)柵源間加電容c,對(duì)Miller效應(yīng)產(chǎn)生的電壓進(jìn)行能量泄放;(3)關(guān)斷時(shí)加負(fù)柵壓。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,采用三者合理組合,對(duì)改進(jìn)Mille r效應(yīng)的效果更佳。 IGBT使用注意事項(xiàng) (1)操作過(guò)程中要佩戴防靜電手環(huán); (2)盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分,當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí),要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,再觸摸; (3)IGBT模塊驅(qū)動(dòng)端子上的黑色海綿是防靜電材料,用戶用接插件引線時(shí)取下防靜電材料立即插上引線; (4)在焊接作業(yè)時(shí),設(shè)備容易引起靜電壓的產(chǎn)生,為了防止靜電的產(chǎn)生,請(qǐng)先將設(shè)備處于良好的接地狀態(tài)下。 IGBT如何保管 1、一般保存IGBT模塊的場(chǎng)所,應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài),不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為5℃~35℃,常濕的規(guī)定為45%~75%。在冬天特別干燥的地區(qū),需要加濕機(jī)加濕。 2、盡量遠(yuǎn)離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場(chǎng)合。 3、在溫度發(fā)生急劇變化的場(chǎng)所IGBT模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象,因此IGBT模塊應(yīng)放在溫度變化較小的地方。 4、IGBT模塊在未投入生產(chǎn)時(shí)不要裸露放置,防止端子氧化情況的發(fā)生。 |
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