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UPS電子輸出特性：電子在溝道中移動(dòng)的方向。左圖表示N溝道，電流的方向是從漏極出發(fā)，經(jīng)過(guò)N溝道流入N區(qū)，最后從源極流出；右圖表示P溝道，電流方向是從源極出發(fā)，經(jīng)過(guò)P溝道流入P“區(qū)，最后從漏極流出。不論是N溝道的MOSFET還是P溝道的MOSFET，只有一種載流子導(dǎo)電.故稱(chēng)其為單極型器件，這種器件不存在像雙極型器件那樣的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，也不存在少子復(fù)合問(wèn)題，所以它的開(kāi)關(guān)速度快、安全工作區(qū)寬并且不存在二次擊穿問(wèn)題。因?yàn)樗请妷嚎刂菩推骷�，使用極為方便。

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此外，功率MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，因此它的漏極電流具有負(fù)溫度系數(shù)，便于并聯(lián)應(yīng)用。（2）主要特性功率MOSFET的特性包括靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性，輸出特性和轉(zhuǎn)移特性屬靜態(tài)特性，而開(kāi)關(guān)特性則屬動(dòng)態(tài)特性。①輸出特性輸出特性也稱(chēng)漏極伏安特性，它是以柵源電壓Uas為參變量，反映漏極電流In與漏源極電壓Uos間關(guān)系的曲線簇

輸出特性分為以下三個(gè)區(qū)。0·可調(diào)電阻區(qū)Ⅰ: Uos一定時(shí)，漏極電流Ip與漏源極電壓Uts幾乎呈線性關(guān)系。當(dāng)MOSFET作為開(kāi)關(guān)器件應(yīng)用時(shí)，工作在此區(qū)內(nèi)�！わ柡蛥^(qū)Ⅱ：在該區(qū)中，當(dāng)Uas不變時(shí)，1n幾乎不隨Ups的增加而加大，Ip近似為一個(gè)常數(shù)。當(dāng)MOSFET用于線性放大時(shí)，則工作在此區(qū)內(nèi)�！ぱ┍绤^(qū)Ⅲ：當(dāng)漏源電壓Uos過(guò)高時(shí)，使漏極PN結(jié)發(fā)生雪崩擊穿，漏極電流Io會(huì)急劇增加。在使用器件時(shí)應(yīng)避免出現(xiàn)這種情況，否則會(huì)使器件損壞。功率MOSFET無(wú)反向阻斷能力，因?yàn)楫?dāng)漏源電壓Uus＜0時(shí)，漏區(qū)PN結(jié)為正偏，漏源間流過(guò)反向電流。因此，功率MOSFET在應(yīng)用過(guò)程中，若必須承受反向電壓，則MOSFET電路中應(yīng)串入快速二極管。②轉(zhuǎn)移特性轉(zhuǎn)移特性是指在一定的漏極與源極電壓Uns下，功率MOSFET的漏極電流Ib和柵極電壓Uas的關(guān)系曲線。

該特性表征功率MOSFET的柵源電壓Uas對(duì)漏極電流ID的控制能力。由圖3-7 ( a )可見(jiàn)，只有當(dāng)漏源電壓Uas＞Uasam時(shí)，器件才導(dǎo)通，UGsab )稱(chēng)為開(kāi)啟電壓。圖3-7 ( b )所示為殼溫Tc對(duì)轉(zhuǎn)移特性的影響。由圖可見(jiàn)，在低電流區(qū)，功率MOSFET具有正電流溫度系數(shù)，在同一柵壓下，ID隨溫度的上升而增大；而在大電流區(qū)，功率MOSFET具有負(fù)電流溫度系數(shù)，在同一柵壓下，lp隨溫度的上升而下降。在電力電子電路中，功率MOSFET作為開(kāi)關(guān)元件通常工作于大電流開(kāi)關(guān)狀態(tài)，因而具有負(fù)溫度系數(shù)。此特性使功率MOSFET具有較好的熱穩(wěn)定性，芯片熱分布均勻，從而避免了由于熱電惡性循環(huán)而產(chǎn)生的電流集中效應(yīng)所導(dǎo)致的二次擊穿現(xiàn)象。