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IGBT 晶體管 PP IHM I XHP 1 7KV

IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 單開關(guān) 1700 V 3600 A 底座安裝 模塊

IGBT 類型   溝槽型場(chǎng)截止
配置  單開關(guān)
電壓 - 集射極擊穿  1700 V
電流 - 集電極 (Ic)  3600 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)    2.3V @ 15V，3600A
電流 - 集電極截止    5 mA
不同 Vce 時(shí)輸入電容 (Cies)195 nF @ 25 V
輸入 標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻   無
工作溫度  -40°C ~ 150°C
安裝類型   底座安裝
封裝/模塊
供應(yīng)商器件封裝  模塊


IGBT是什么？
IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
IGBT與MOSFET的對(duì)比
MOSFET全稱功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。
北京京誠宏泰科技有限公司銷售FZ3600R17HE4P西門子S120變頻器IGBT模塊
優(yōu)點(diǎn)：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。
缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。
IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極（C）、發(fā)射極（E）和柵極（G）。
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特點(diǎn)：

擊穿電壓可達(dá)1200V，集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上，工作頻率可達(dá)20kHz。
IGBT的典型應(yīng)用
電動(dòng)機(jī)
不間斷電源
太陽能面板安裝
電焊機(jī)
電源轉(zhuǎn)換器與反相器
電感充電器
電磁爐

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IGBT4 Fast (IHM B) 1)
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