MBN1200D33A
MBN1200H45E2-H
MBN1500E33E3
MBN1200E25E
MBL800E33C
MBL400E33D
MBL1000E33E-B
MBL1000E33E2-B
MBN800E33D-P
MBN1200E33C 
MBN1500E33C
MBN1200D33C
MBN1000GR12A
MBN1200E17D
MBN1200E33D
MBN1200E33E
MBN1500E33E

IGBT模塊

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成。IGBT兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)、UPS不間斷電源等設(shè)備上。

MBN1800D17C
MBN800E33D
MBN800E33E
MDM1200H45E2-H
MBN1200H45E2-H
MDM800E33D
MBN750H65E2
MDM750H65E2

IGBT模塊；單管IGBT模塊；雙管半橋IGBT模塊；4單元H橋IGBT模塊；3單元IGBT模塊；6單元三相全橋IGBT模塊；
三電平IGBT模塊；6500V高壓IGBT模塊；3300V高壓IGBT模塊；4500V高壓IGBT模塊；IPM模塊；PIM模塊；PLC模塊；GTR達(dá)林頓模塊 ；GTO晶閘管；普通晶閘管；北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司
快速晶閘管； 二極管；快恢復(fù)二極管；整流橋；剎車整流器；單相整流橋；三相整流橋；全控整流橋；半控整流橋；可控硅；雙向可控硅；反并聯(lián)可控硅；驅(qū)動(dòng)板；北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司 關(guān)鍵詞
IGBT驅(qū)動(dòng)板；可控硅驅(qū)動(dòng)板；可控硅觸發(fā)板；晶閘管觸發(fā)板； MOSFET管；場(chǎng)效應(yīng)模塊；電容；直流鋁電解電容；交流濾波電容；啟動(dòng)電容器；無(wú)功補(bǔ)償電容器；北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司 關(guān)鍵詞
快熔；延時(shí)慢熔；智能功率模塊；智能晶閘管模塊；工業(yè)觸摸屏；操作面板；工控機(jī)；變頻器整機(jī)及配件；軟啟動(dòng)器整機(jī)及配件；電力調(diào)整器整機(jī)及配件；
ABB變頻傳動(dòng)備件；西門子變頻傳動(dòng)/直流調(diào)速備件