EPS消防應(yīng)急電源

??(EPS消防應(yīng)急電源分單相和三相)

??一、使用范圍

??1 用于各種場(chǎng)合的應(yīng)急照明和不能斷電的重要設(shè)備。

??2 應(yīng)急照明：、學(xué)校、商場(chǎng)、廣場(chǎng)、車(chē)部、工廠、人防通道及體育館、隧道燈。

??3 重要用電設(shè)備：交易大屏、監(jiān)控裝置、金融機(jī)具、雷達(dá)、設(shè)備等。


心理素質(zhì)比較低的人員，在工作中常�？紤]不周全，拖三拉四，勢(shì)必會(huì)為檢驗(yàn)安全埋下安全隱患。因此就要定期或不定期培訓(xùn)檢驗(yàn)人員，培訓(xùn)來(lái)增強(qiáng)檢驗(yàn)人員的心理素質(zhì)，讓他們擁有一個(gè)過(guò)硬的技能和素質(zhì)。2提高檢驗(yàn)人員安全意識(shí)從電梯檢驗(yàn)安全事件來(lái)看，有一些檢驗(yàn)人員常常存在僥幸心理，認(rèn)為檢驗(yàn)時(shí)采取相應(yīng)的各種措施過(guò)于麻煩，尤其有一些預(yù)防工作耗時(shí)較長(zhǎng)，處理花費(fèi)時(shí)間還不如采取安全措施的時(shí)間長(zhǎng)，因此常不履行必備的安全程序，從而造成工作不到位。

??二 產(chǎn)品原理

??WZ-D系列應(yīng)急照明集中電源，是為建筑物內(nèi)緊急疏散照明或者重要設(shè)備集中供電的應(yīng)急備用電源設(shè)備。

??當(dāng)市電正常時(shí)，由市電經(jīng)過(guò)互投裝置給負(fù)載供電，同時(shí)充電器給備用蓄電池組進(jìn)行智能充電。當(dāng)市電斷電，或超過(guò)正常電壓的20%時(shí)，由控制器逆變信號(hào)，啟動(dòng)逆變電源，同時(shí)互投裝置將立即投切至逆變電源輸出，繼續(xù)正玄數(shù)交流電，當(dāng)市電電壓正常后，應(yīng)急電源將自動(dòng)網(wǎng)供電。

??三 產(chǎn)品特點(diǎn)

??1 采用集中供電模式，無(wú)需特殊燈具

??2雙路電源自動(dòng)切換，可靠性高

??3 壽命長(zhǎng)，主機(jī)壽命20年以上

??4 采用CPU控制，保證各動(dòng)作點(diǎn)準(zhǔn)確

??5 LCD顯示和聲音，工作狀態(tài)一目了然

??6 具有過(guò)壓、欠壓、過(guò)溫、過(guò)流、短路等保護(hù)功能

??7 智能電池充電功能，可實(shí)現(xiàn)均浮充自動(dòng)轉(zhuǎn)換、有延長(zhǎng)電池壽命

??8 自動(dòng)監(jiān)控電池工作狀態(tài)，具有電池充放自動(dòng)保護(hù)

??9 具有消防聯(lián)動(dòng)功能，可透過(guò)RS232或者RS485接口，可實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程監(jiān)控

??10 模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，維護(hù)方便。

??四 具體規(guī)格

??0.5、1、1.5、2、3、4、5、6、7、8、9、10kw等

??五 備用時(shí)間

??可按設(shè)計(jì)配置，如30、60、90、120、180分鐘

??六 安裝形式

??落地式、掛式、嵌式
電氣設(shè)備的布置與土建平面布置，立面布置有關(guān)；線路走向與建筑結(jié)構(gòu)的梁，柱，門(mén)窗，樓板的位置有關(guān)；還與管道的規(guī)格，有關(guān)；安裝方法又與墻體結(jié)構(gòu)，樓板材料有關(guān)；特別是一些預(yù)埋電路，電氣設(shè)備基礎(chǔ)及各種電氣預(yù)埋件更易土建工程密切相關(guān)。所以閱讀某些電器涂藥與有關(guān)的土建圖，管路圖以及安裝圖對(duì)應(yīng)起來(lái)看。了解涉及電氣圖的有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)程如圖的主要目的是用來(lái)指導(dǎo)施工，安裝，指導(dǎo)運(yùn)行，維修和。有關(guān)的不可能一一在圖紙上反映出來(lái)，標(biāo)注清楚，因?yàn)檫@些在有關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)定，規(guī)范中已經(jīng)做了明確的規(guī)定。
主要用于存儲(chǔ)程序中的變量。在單芯片單片機(jī)中（*1），常常用SRAM作為內(nèi)部RAM。SRAM允許高速訪問(wèn)，內(nèi)部結(jié)構(gòu)太復(fù)雜，很難實(shí)現(xiàn)高密度集成，不用作大容量?jī)?nèi)存。除SRAM外，DRAM也是常見(jiàn)的RAM。DRAM的結(jié)構(gòu)比較容易實(shí)現(xiàn)高密度集成，比SRAM的容量大。將高速邏輯電路和DRAM安裝于同一個(gè)晶片上較為困難，一般在單芯片單片機(jī)中很少使用，基本上都是用作外圍電路。（*1）單芯片單片機(jī)是指：將CPU，ROM，RAM，振蕩電路，定時(shí)器和串行I/F等集成于一個(gè)LSI的微處理器。
由于放大器有2級(jí)，從V2輸出端取出的反饋電壓Uf是和放大器輸入電壓同相的（2級(jí)相移360°=0°）。因此反饋電壓經(jīng)選頻網(wǎng)絡(luò)送回到VT1的輸入端時(shí)，只有某個(gè)特定頻率為f0的電壓才能滿足相位平衡條件而起振�？梢�(jiàn)RC串并聯(lián)電路同時(shí)起到了選頻和正反饋的作用。實(shí)際上為了提高振蕩器的工作，電路中還加有由Rt和RE1組成的串聯(lián)電壓負(fù)反饋電路。其中Rt是一個(gè)有負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻，它對(duì)電路能起到穩(wěn)定振蕩幅度和減小非線性失真的作用。